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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 综合其他 » 衬底+正胶+二氧化硅，求制备工艺，要求在制备过程中尽可能不曝光光刻胶
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木星人士

新虫 (正式写手)

[求助] 衬底+正胶+二氧化硅，求制备工艺，要求在制备过程中尽可能不曝光光刻胶 已有6人参与

大家好！最近实验上遇到一个问题。我的结构是：衬底+正胶+二氧化硅，衬底可以选硅或石英，上面是光刻胶，光刻胶上是80nm厚的二氧化硅。因为在沉积二氧化硅时，磁控溅射的辉光会对光刻胶曝光。求大家推荐制备工艺，要求在制备过程中尽可能不曝光光刻胶，谢谢！
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1楼 2014-11-22 21:36:16
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exciting73

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
最后光刻胶需要永久保留吗
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2楼2014-11-22 21:47:55
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木星人士

新虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by exciting73 at 2014-11-22 21:47:55
最后光刻胶需要永久保留吗

曝光后用氢氟酸腐蚀二氧化硅，然后显影，测电镜。不用永久保存

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3楼2014-11-23 09:39:20
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spiderman504

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
不明白你要做什么？
光刻胶涂完就沉积二氧化硅？
你应该是想用光刻胶做掩膜，然后沉积二氧化硅，最后去胶，留下想要的二氧化硅的图形吧？

那就直接按你的正胶工艺做好图形，然后拿去沉积，最后丙酮超声去掉多余的光刻胶和上面的二氧化硅就完了。
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由于您的签名过于个性，小木虫暂时无法显示。。。
4楼2014-11-23 11:57:35
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木星人士

新虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by spiderman504 at 2014-11-23 11:57:35
不明白你要做什么？
光刻胶涂完就沉积二氧化硅？
你应该是想用光刻胶做掩膜，然后沉积二氧化硅，最后去胶，留下想要的二氧化硅的图形吧？

那就直接按你的正胶工艺做好图形，然后拿去沉积，最后丙酮超声去掉多余 ...

不是的，是需要在二氧化硅上面放充当掩模的器件，掩模比较特殊，所以才需要在掩模和光刻胶直接加一个透明层

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5楼2014-11-23 13:33:29
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kigeon

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
要不光刻胶厚一点留余量给溅射损失？
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6楼2014-11-23 14:34:13
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木星人士

新虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by kigeon at 2014-11-23 14:34:13
要不光刻胶厚一点留余量给溅射损失？

额，我更关心光刻胶会被会被溅射时的辉光给曝光了。。我是计划在溅射之后通过掩膜版曝光
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7楼2014-11-23 15:07:43
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c_kDr

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
二氧化硅不用溅射做，改热蒸发怎么样或者电子束蒸发也行吧，基板的局部温度应该不超过100度，正常的光刻胶都能承受的了。
转移过程中多少会有点变质，毕竟蒸发的设备不在黄光区，但是我决定楼主如果用溅射的话，也存在转移过程中稍微有点变质，如果时间短应该没问题的，再用锡箔纸把基板包起来转移会好一点。但是一般情况下都是铺完胶接着曝光显影再去生长薄膜，和楼主的步骤不太一样
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8楼2014-11-24 08:30:55
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木星人士

新虫 (正式写手)
引用回帖:
8楼: Originally posted by c_kDr at 2014-11-24 08:30:55
二氧化硅不用溅射做，改热蒸发怎么样或者电子束蒸发也行吧，基板的局部温度应该不超过100度，正常的光刻胶都能承受的了。
转移过程中多少会有点变质，毕竟蒸发的设备不在黄光区，但是我决定楼主如果用溅射的话，也 ...

谢谢你的详解！我的光刻胶是对400nm左右的光敏感。蒸发设备的辉光不知道在这个波长附近强不强。还有蒸发腔的温度如果太高，对光刻胶相当于后烘，影响显影和去胶。磁控溅射腔体温度会接近室温，但辉光有点强。为什么用锡箔纸包住基片转移图形会好些呢？

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9楼2014-11-24 11:21:42
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c_kDr

金虫 (小有名气)
引用回帖:
9楼: Originally posted by 木星人士 at 2014-11-24 12:21:42
谢谢你的详解！我的光刻胶是对400nm左右的光敏感。蒸发设备的辉光不知道在这个波长附近强不强。还有蒸发腔的温度如果太高，对光刻胶相当于后烘，影响显影和去胶。磁控溅射腔体温度会接近室温，但辉光有点强。为什么 ...

普通光刻胶曝光用的都是紫外线 400 nm左右曝光， 溅射如果用Ar气氛的话，辉光是蓝色的，和400nm还比较接近如果用溅射估计得换气氛，热蒸发的话坩埚那里温度高，其实基板的温度不会很高。而且曝光之后进行蒸发比较常见，这种先蒸发在曝光确实没有试验过呢。反正涂完胶也有一个100度左右的烘焙，只要胶不变形或者褶皱就行，但蒸发时间应该不太长的话，应该不会影响除胶。
涂胶在黄光区没问题，但是这种生长的设备都在外边，所以从黄光区拿出来之前先把涂完胶的样品包起来啊。
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10楼2014-11-24 13:34:41
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