[求助] 求助关于价带顶和导带底位置的计算已有1人参与

因为我主要是做材料的，只略懂计算的方法，对其物理意义很多还是没有完全理解
背景：
很多材料的文章都有介绍，对一个体相的材料进行掺杂，修饰，沉积贵金属和降低维度等等都会引起价带或者导带位置的改变，这一部分的工作在实验上可以通过价带xps和drs来确定。但是我前段时间也做了几个简单的计算，用取代掺杂计算了材料的dos，其结果都往往只是产生一个杂质能级....价带顶或者导带底的位置基本上没啥移动。
问题：
是否可以利用vasp精确地计算出材料在取代掺杂前后价带和导带的相对变化？

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向金字塔顶攀登

1楼 2014-11-19 10:36:26

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匿名

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2楼2014-11-19 10:47:12

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kinkilyou

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【答案】应助回帖

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无所谓109(ljw4010代发): 金币+2, 谢谢指导解答！ 2014-11-20 20:41:29
无所谓109: 金币+15, ★★★很有帮助, 谢谢啦 2014-11-20 23:25:35

掺杂，就是产生新的能级，从而让间隙变小，吸收可见光。材料本身的能级不会改变。
修饰，沉积贵金属也是一样，在材料表面负载新的材料。材料本身也不会变化。之所以变化是本身的能级加上新材料的能级。

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3楼2014-11-19 16:11:54