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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 求助！关于FET中栅极大小应该有多大的问题
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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edwardwitten

铁虫 (初入文坛)

[求助] 求助！关于FET中栅极大小应该有多大的问题 已有1人参与

初次设计FET，目前有一问题想不明白。在设计中，栅极应该占channel多大比例比较合适？如果恰好一样大，alignment稍微偏差就会使之与源漏极有上下重合部分，容易漏电，所以应该设计占沟道多大呢？
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1楼 2014-10-29 01:16:13
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jeremyfrc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by edwardwitten at 2014-10-28 12:02:30
哦。。。是自己做加工耶。。。所以必须考虑这个问题。工业界的没法比，他们的gate oxide做得好，可以不漏电，但是高校中做出来的漏电很厉害。。。
...

那你就把栅做小一点点好了，但是不要小太多。
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哈哈哈哈，来吧
4楼2014-10-29 10:03:48
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jeremyfrc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
应该是要比沟道小一点，没人量过，但是确实是小一点。
工业上其实是跟源漏有重叠的，但是因为有gate oxide，还有侧墙，所以漏电的问题不太大。关键你要是自己做FET，就有点难了，可以尽量不重叠，不过栅的控制能力会稍微弱一点；如果你只是自己设计电路，那应该不需要考虑这些，重叠也没有关系，tapeout的时候，会有公司的人帮你修正的。
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哈哈哈哈，来吧
2楼2014-10-29 01:44:17
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edwardwitten

铁虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by jeremyfrc at 2014-10-29 01:44:17
应该是要比沟道小一点，没人量过，但是确实是小一点。
工业上其实是跟源漏有重叠的，但是因为有gate oxide，还有侧墙，所以漏电的问题不太大。关键你要是自己做FET，就有点难了，可以尽量不重叠，不过栅的控制能力 ...

哦。。。是自己做加工耶。。。所以必须考虑这个问题。工业界的没法比，他们的gate oxide做得好，可以不漏电，但是高校中做出来的漏电很厉害。。。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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3楼2014-10-29 03:02:30
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