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porksong

银虫 (初入文坛)

[求助] M-S曲线分析请教已有2人参与

请教一下我的M-S图为何会出现一个峰？斜率有正有负的情况下如何判断是n型还是p型？
我的电极是用粉末活性样品与炭黑，PVDF按8:1:1的比例（PVDF用NMP溶解）混合均匀，然后涂覆在Ni泡沫上面的

M-S曲线分析请教
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@Jackcd12 @木木新起点

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1楼2014-10-22 15:41:56
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

对曲线最长线性对作切线，切线斜率为正时，表明半导体为N-type,如果切线斜率为负值，则半导体为p-type.
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Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
2楼2014-10-27 11:34:19
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porksong

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by Jackcd12 at 2014-10-27 11:34:19
对曲线最长线性对作切线，切线斜率为正时，表明半导体为N-type,如果切线斜率为负值，则半导体为p-type.

您好，那么最开始斜率为正的那段曲线需要解释吗？ 这样做的原理是什么呢
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3楼2014-10-27 13:06:53
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

不需要解释开始端曲线，M-S原理你可以在半导体物理，半导体电化学以及很多金属氧化物的半导体的文章中找到，主要是通过外加电压使半导体空间电荷层处于耗尽状态，测试空间电荷层的电容与外加电压的关系，由M-S曲线的切线的斜率，根据Mott-Schottky方程计算载流子浓度，切线在横坐标上的截距可得到平带电位。看看资料搞懂原理再做吧。
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Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
4楼2014-10-27 13:34:23
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porksong

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by Jackcd12 at 2014-10-27 13:34:23
不需要解释开始端曲线，M-S原理你可以在半导体物理，半导体电化学以及很多金属氧化物的半导体的文章中找到，主要是通过外加电压使半导体空间电荷层处于耗尽状态，测试空间电荷层的电容与外加电压的关系，由M-S曲线的 ...

谢谢您的回复，相关原理稍微了解了一下。有个疑问就是如果所测粉末形成了p-n结那么测试出来的M-S曲线应该是倒V型？既然这样的话我如何判断我测试出来的是单纯的p型还是形成了p-n结呢
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5楼2014-10-27 14:25:11
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

原理上，P-N结与Schottky结是不同的，但在实际例子中也有混在一起，你可以看看双极性半导体半导体膜的特征，在较宽的电压范围内M-S曲线会出现P和N型特征。文章：双极性半导体钝化膜空间电荷电容分析（http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-WLHX200903013.htm）。
论文：http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid ... atastreams/THESIS01
但是，由于不同条件制备的PN结结构存在很大差异，经常p-n结的M-S曲线也只表现出单一的特性，这时，一般需要做电流-电压曲线（J-V test)来帮助确定是否有PN结存在。
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Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
6楼2014-10-27 15:43:25
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木木新起点

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

楼上说的很清楚很明白，我也受教了~你的M-S曲线一开始出现正的斜率后来是负的斜率，我在一篇文献中看到过，他对两个线性区域的解释是存在由于能带弯曲造成的耗尽层。我做出的曲线是单调的，因此没有深究。。。但是仅仅考察平带电位和掺杂浓度的话，直接利用负斜率（p型半导体）线性部分的截距和斜率就可以得出。这是那篇文献，希望对你有所帮助~Semiconducting properties of passive ®lms formed on nickel±base alloys type Alloy 600: inˉuence of the alloying elements。
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只一人倾心，择一城终老。做最好的自己，看最美的烟火，沿途便是最别致的风景。
7楼2014-10-28 15:49:13
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