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有关位错速率和位错塞积之间的关系 已有1人参与
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通过高应变速率变形,基体中的位错速率会随着增加。 那么,高速率运动的位错相比于低速位错而言,位错见的塞积(pile-up)或者说是位错间的交互作用是怎么变化的呢? 十分困扰,望请教! |
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comma
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材料人
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【答案】应助回帖
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建议看一些相关的书,这里也不过是看文字。 我这里给你提供一点泛泛的理解,仅供参考—— 对于形变,会发生位错运动、增殖、位错间交互作用、位错与其他缺陷的交互作用、位错热激活等等表现非常复杂,难以一一概论,更难对单根位错行为进行描述,总之都是为了响应应变协调的需要,但凡宏观或微观的协调不利就会失稳断裂...... 可以想象位错也是“智能”的,会自发的形成低能态的组态,塞积是形成高能态,会自发向低能态的形态转化,如形成缠结,乃至形成位错墙、显微带、几何必须界面、伴生位错界面,更严重形成S带、层带、形变带,更更严重就是剪切带,再加应变的话就是裂纹扩展、断裂.....虽然后期形成的组态是高能的,但是对于位错是为了响应应变而形成了相应的相对低能的“组织”,这些存在的“组织”就是储存能的载体...... 再说高速应变,其过程也经历这些,表现不同的是更快的动力学进程,同样位错在响应应变而运动、增殖、塞积,但相比慢速应变其自发低能态组织的形成来不及,提前了严重剪切的效果,更快失效...... |

2楼2014-10-19 13:10:03













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