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有关位错速率和位错塞积之间的关系 已有1人参与
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通过高应变速率变形，基体中的位错速率会随着增加。 那么，高速率运动的位错相比于低速位错而言，位错见的塞积（pile-up）或者说是位错间的交互作用是怎么变化的呢？ 十分困扰，望请教！ |
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- 专业: 金属材料的微观结构
- 管辖: 金属
【答案】应助回帖
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建议看一些相关的书，这里也不过是看文字。 我这里给你提供一点泛泛的理解，仅供参考—— 对于形变，会发生位错运动、增殖、位错间交互作用、位错与其他缺陷的交互作用、位错热激活等等表现非常复杂，难以一一概论，更难对单根位错行为进行描述，总之都是为了响应应变协调的需要，但凡宏观或微观的协调不利就会失稳断裂...... 可以想象位错也是“智能”的，会自发的形成低能态的组态，塞积是形成高能态，会自发向低能态的形态转化，如形成缠结，乃至形成位错墙、显微带、几何必须界面、伴生位错界面，更严重形成S带、层带、形变带，更更严重就是剪切带，再加应变的话就是裂纹扩展、断裂.....虽然后期形成的组态是高能的，但是对于位错是为了响应应变而形成了相应的相对低能的“组织”，这些存在的“组织”就是储存能的载体...... 再说高速应变，其过程也经历这些，表现不同的是更快的动力学进程，同样位错在响应应变而运动、增殖、塞积，但相比慢速应变其自发低能态组织的形成来不及，提前了严重剪切的效果，更快失效...... |
2楼2014-10-19 13:10:03
