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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 理论物理&天文 » (求助)关于半导体中载流子浓度乘积n（0）p（0）
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_木头人

新虫 (小有名气)

[求助] (求助)关于半导体中载流子浓度乘积n（0）p（0） 已有4人参与

书中说半导体处于热平衡状态时，载流子浓度的乘积保持恒定，如果电子浓度增大，空穴浓度就要减少；反之亦然。
  对于本征半导体，不是空穴个数等于电子个数吗？它们俩得浓度要增大不是应该都增大吗？？
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1楼 2014-09-28 17:40:20
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metaliium

银虫 (正式写手)
看书要看仔细，书上面肯定写清楚了这是在说掺杂半导体。。。
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3楼2014-09-29 00:27:48
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lzh_laubert

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
本征半导体电子浓度增大自然空穴会增大，因为要满足电中性条件。既然本征半导体电子浓度增大，必然是温度增加了。对于你说的乘积为常数，是对于掺杂半导体而言的。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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2楼2014-09-29 00:07:35
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_木头人

新虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by metaliium at 2014-09-29 00:27:48
看书要看仔细，书上面肯定写清楚了这是在说掺杂半导体。。。

书上写的就是对本征半导体和杂质半导体都适用

[ 发自小木虫客户端 ]
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4楼2014-09-29 08:30:28
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metaliium

银虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by _木头人 at 2014-09-29 08:30:28
书上写的就是对本征半导体和杂质半导体都适用
...

本征半导体当然满足这个关系，但它没有多子少子。。。

如果这都没讲清楚，你不如还是换本书吧。。。
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5楼2014-09-29 08:37:22
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