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南方科技大学公共卫生及应急管理学院2025级博士研究生招生报考通知
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shucaijing

铜虫 (正式写手)

[求助] TiO2/FTO 光电化学行为已有1人参与

我通过水热合成的方法 在FTO玻璃上合成了TiO2 阵列,在不同波长的激光照射下 测得I-V 曲线,我发现 TiO2 在小于532nm的激光下发生 I-V曲线 的变化  这是为什么?找不到相应的文献说明  请大家帮忙给个解释  谢谢!
TiO2/FTO 光电化学行为
图片3.jpg
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Comeon,Baby!!!
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qingdacuihua

金虫 (正式写手)

扫描范围也太宽了吧,-1~1V就差不多
2楼2014-09-24 15:18:07
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shucaijing

铜虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by qingdacuihua at 2014-09-24 15:18:07
扫描范围也太宽了吧,-1~1V就差不多

谢谢您的建议  为什么-0.3eV 出现了一个负峰,是什么缘故啊? 532nm 的光就使其发生变化?
Comeon,Baby!!!
3楼2014-09-24 17:08:31
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jeremyfrc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
跟bandgap有关系,看一下532nm光的能量大概是2.3eV,那就是说明你的TiO2的bandgap至少是在2.3eV,有可能更小,但是不可能更大。因为785nm的光的能量是1.6 eV,那你的bandgap至少要比1.6大,但是具体是多少就不知道了。
至于0.3eV的那个拐点,应该是光造成的,一些结构上的变化,建议你列出来你的结构参数,比如多厚之类的,不需要太具体,大概的值就好了。
哈哈哈哈,来吧
4楼2014-09-25 05:39:15
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shucaijing

铜虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by jeremyfrc at 2014-09-25 05:39:15
跟bandgap有关系,看一下532nm光的能量大概是2.3eV,那就是说明你的TiO2的bandgap至少是在2.3eV,有可能更小,但是不可能更大。因为785nm的光的能量是1.6 eV,那你的bandgap至少要比1.6大,但是具体是多少就不知道了 ...

TiO2的带隙为3.1eV 远大于2.3 eV          应与 FTO有关系
Comeon,Baby!!!
5楼2014-09-25 10:22:11
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qingdacuihua

金虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by shucaijing at 2014-09-24 17:08:31
谢谢您的建议  为什么-0.3eV 出现了一个负峰,是什么缘故啊? 532nm 的光就使其发生变化?...

溶液除氧做做试试
6楼2014-09-25 10:25:54
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jeremyfrc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
5楼: Originally posted by shucaijing at 2014-09-24 19:22:11
TiO2的带隙为3.1eV 远大于2.3 eV          应与 FTO有关系...

你说的这个3.1 eV是你测出来的,还是书上说的?
FTO作为导体,应该不太可能。
这个也很好证明,你用白白的FTO先用激光照一次,看看有没有这种变化。
然后么,你再试试测测你的TiO2的bandgap,一般来说薄膜的bandgap会随着你的生长方法改变。不一定是书上说的那个值。
哈哈哈哈,来吧
7楼2014-09-25 10:59:19
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