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shucaijing

铜虫 (正式写手)

[求助] TiO2/FTO 光电化学行为已有1人参与

我通过水热合成的方法 在FTO玻璃上合成了TiO2 阵列，在不同波长的激光照射下 测得I-V 曲线，我发现 TiO2 在小于532nm的激光下发生 I-V曲线 的变化  这是为什么？找不到相应的文献说明  请大家帮忙给个解释  谢谢！
TiO2/FTO 光电化学行为
图片3.jpg
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Comeon,Baby!!!
1楼2014-09-24 14:25:28
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jeremyfrc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
5楼: Originally posted by shucaijing at 2014-09-24 19:22:11
TiO2的带隙为3.1eV 远大于2.3 eV          应与 FTO有关系...

你说的这个3.1 eV是你测出来的，还是书上说的？
FTO作为导体，应该不太可能。
这个也很好证明，你用白白的FTO先用激光照一次，看看有没有这种变化。
然后么，你再试试测测你的TiO2的bandgap，一般来说薄膜的bandgap会随着你的生长方法改变。不一定是书上说的那个值。
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哈哈哈哈，来吧
7楼2014-09-25 10:59:19
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qingdacuihua

金虫 (正式写手)
扫描范围也太宽了吧，-1~1V就差不多
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2楼2014-09-24 15:18:07
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shucaijing

铜虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by qingdacuihua at 2014-09-24 15:18:07
扫描范围也太宽了吧，-1~1V就差不多

谢谢您的建议  为什么-0.3eV 出现了一个负峰，是什么缘故啊？ 532nm 的光就使其发生变化？
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Comeon,Baby!!!
3楼2014-09-24 17:08:31
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jeremyfrc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
跟bandgap有关系，看一下532nm光的能量大概是2.3eV，那就是说明你的TiO2的bandgap至少是在2.3eV，有可能更小，但是不可能更大。因为785nm的光的能量是1.6 eV，那你的bandgap至少要比1.6大，但是具体是多少就不知道了。
至于0.3eV的那个拐点，应该是光造成的，一些结构上的变化，建议你列出来你的结构参数，比如多厚之类的，不需要太具体，大概的值就好了。
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哈哈哈哈，来吧
4楼2014-09-25 05:39:15
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