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影子.yao

新虫 (初入文坛)

[求助] 关于IR降是怎么产生的,跟离子扩散受阻有关系吗 已有6人参与

求助各位大侠,小女子有事相求,电压降产生是因为离子扩散受阻吗?还是这是没有关系的,是由于内阻所致?因为审稿人让我给出证据,我说“at high current densities, the potential drop is visible due the limitation of ionic diffusion." 审稿人问:What is the evidence?
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平行线的未来
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binbinitaly

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
同意楼上,如果是三电极体系的话,IR降主要是由于参比电极到试样表面之间的溶液电阻产生的,一般可以用阻抗来初步判断IR降的大小,即Nyquist图上曲线与实轴的交点对应的值
既然选择了远方,便只顾风雨兼程!时间是检验一切的唯一标准!
3楼2014-09-15 10:41:42
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查看全部 18 个回答

starsky999

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
去测一个EIS分析一下 给他个证据吧
2楼2014-09-15 07:43:55
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MBI-Al

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
升温 做个的电池 看IR区的变化
4楼2014-09-15 14:37:44
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影子.yao

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
3楼: Originally posted by binbinitaly at 2014-09-15 10:41:42
同意楼上,如果是三电极体系的话,IR降主要是由于参比电极到试样表面之间的溶液电阻产生的,一般可以用阻抗来初步判断IR降的大小,即Nyquist图上曲线与实轴的交点对应的值

嗯~我是这么认为的:IR降其实是内阻的一种表现,当电流密度大的时候,内阻表现明显;我提到的离子扩散受阻,这是跟电流密度大有关系;当电流密度大的时候,离子扩散受阻,表现为比电容降低;同样,电流密度大的时候,内阻表现明显,比电容降低;可是我说成了当电流密度增大是,电压降是由于离子扩散造成的,是不是逻辑有点问题了?我就是觉得我分析的原因与结果不太准确?思路有点混乱~请指点~谢谢!
平行线的未来
5楼2014-09-15 17:03:37
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