[交流] Si化学清洗以及缓冲液的原理与掺杂量的关系~~~ 已有4人参与

最近处理了一些样品，结果不是很理想。   我们清洗Si片的手顺是 先用超纯水洗一下，   然后 浓硫酸；双氧水—4；1 清洗3min   超纯水洗净   再一次 浓硫酸；双氧水—4；1 清洗3min   再次洗净   10min超纯水洗净   2%HF酸 10秒   洗净 ------------------------------------------------   以上貌似叫做SPM洗净，大家都这么做属于常规手顺。   以下是我特别需要制备原子级别平坦度需要的40%NH4F，已经尽力去掉溶存氧气了。   问题在于这里，好多论文里没有详细的提到用的什么规格的Si片，我使用的是CZ法制的 N型 磷掺杂 1-5欧/cm，掺杂量很大   是否对etch 有很大影响呢？直觉告诉我影响应该很大很大滴~~~      还有就是etch 的原理 以及SPM洗净的原理~~~不是很清楚。有什么文献可以分享下嘛~~~~万分感激下啦~~~~ PS 软件跟设备的单位不太一样 XY范围 1V＝15.0nm  高度Z 1V＝1.82nm Si100面 SPM洗净后 NH4F 6min处理。RMS是4.1左右 Si111面 SPM洗净后 NH4F 6min处理。RMS是0.76左右

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