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Si化学清洗以及缓冲液的原理与掺杂量的关系~~~ 已有4人参与
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最近处理了一些样品，结果不是很理想。 我们清洗Si片的手顺是 先用超纯水洗一下， 然后 浓硫酸；双氧水—4；1 清洗3min 超纯水洗净 再一次 浓硫酸；双氧水—4；1 清洗3min 再次洗净 10min超纯水洗净 2%HF酸 10秒 洗净 ------------------------------------------------ 以上貌似叫做SPM洗净，大家都这么做属于常规手顺。 以下是我特别需要制备原子级别平坦度需要的40%NH4F，已经尽力去掉溶存氧气了。 问题在于这里，好多论文里没有详细的提到用的什么规格的Si片，我使用的是CZ法制的 N型 磷掺杂 1-5欧/cm，掺杂量很大 是否对etch 有很大影响呢？直觉告诉我影响应该很大很大滴~~~ 还有就是etch 的原理 以及SPM洗净的原理~~~不是很清楚。有什么文献可以分享下嘛~~~~万分感激下啦~~~~ PS 软件跟设备的单位不太一样 XY范围 1V＝15.0nm 高度Z 1V＝1.82nm  Si100面 SPM洗净后 NH4F 6min处理。RMS是4.1左右  Si111面 SPM洗净后 NH4F 6min处理。RMS是0.76左右 |
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