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邪美公子88

木虫 (初入文坛)

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[求助] vasp计算，氧化物表面的氧空位形成能已有2人参与

用vasp进行计算，把金属放在氧化物的表面上（氧终止面），然后计算与金属成键的以及次近邻的，形成一个氧化物表面氧空位的氧空位形成能，找到氧空位形成能最低的位置，然后再计算纯氧化物表面形成一个氧空位的形成能。发现，金属放在氧化物的表面上，最低的氧空位形成能反而比纯氧化物的氧空位形成能要高，而我放在氧化物表面的金属是Ni，感觉很奇怪，求助大家！！！！

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1楼 2014-09-01 22:42:57

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邪美公子88

木虫 (初入文坛)

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引用回帖:

8楼: Originally posted by KalaShayminS at 2014-09-02 22:54:25
表面是否氧暴露在外面？初始状态cluster放的位置是否优化到最佳了？如果难以确定的话，先减小cluster的原子数进行计算测试。...

如题，我已经说明氧是终止面，cluster on oxide surface 的结构已经优化，并且我拿走的表面氧原子以后，保证cluster 没有变形，且我已经尝试过不同cluster的原子数目了，目前的这个是无论有没有氧空位的情况下，都是能收敛的，目测没有变形的，所以不能理解为什么 cluster放上去以后，氧空位形成能反而比纯氧化物的要大。