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邪美公子88

木虫 (初入文坛)

[求助] vasp计算，氧化物表面的氧空位形成能 已有2人参与

用vasp进行计算，把金属放在氧化物的表面上（氧终止面），然后计算与金属成键的以及次近邻的，形成一个氧化物表面氧空位的氧空位形成能，找到氧空位形成能最低的位置，然后再计算纯氧化物表面形成一个氧空位的形成能。发现，金属放在氧化物的表面上，最低的氧空位形成能反而比纯氧化物的氧空位形成能要高，而我放在氧化物表面的金属是Ni，感觉很奇怪，求助大家！！！！
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1楼 2014-09-01 22:42:57
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邪美公子88

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by KalaShayminS at 2014-09-02 20:30:23
哦抱歉我理解有误，放置cluster的话确实应该是变小。
用的氧化物表面模型有多大？Cluster有多大？现在计算是变大了多少？...

(4x4) 的表面 cluster 应该没有占到一半的表面积， 但是M/oxide 的氧空位形成能要比纯氧化物的氧空位形成能要大 0.2eV 左右 但是我查文献，氧化物的氧空位形成能和我做的差不多，但是金属放到氧化物的表面以后，计算氧空位形成能，反而更高了，这让我 很不能理解！！！！！
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7楼2014-09-02 21:04:44
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KalaShayminS

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
fzx2008: 金币+1, 谢谢回帖！ 2014-09-03 23:43:19
大部分氧化物的话，金属-氧比例正好的时候最稳定，这样多放了金属原子，当然应该氧越多越稳定，氧空位自然更不容易形成。
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2楼2014-09-02 00:28:48
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邪美公子88

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by KalaShayminS at 2014-09-02 00:28:48
大部分氧化物的话，金属-氧比例正好的时候最稳定，这样多放了金属原子，当然应该氧越多越稳定，氧空位自然更不容易形成。

是这样的吗  不一定吧  有些金属是促进氧空位的形成  所以比纯氧化物有更低的氧空位形成能

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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3楼2014-09-02 00:32:55
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KalaShayminS

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
fzx2008: 金币+1, 谢谢回帖！ 2014-09-03 23:43:31
引用回帖:
3楼: Originally posted by 邪美公子88 at 2014-09-02 00:32:55
是这样的吗  不一定吧  有些金属是促进氧空位的形成  所以比纯氧化物有更低的氧空位形成能
...

请确认一下你的体系是表面掺杂金属原子还是吸附金属原子。
掺杂的常见，但吸附的印象中没见过几个能降低氧空位形成能的。
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4楼2014-09-02 01:03:42
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