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oscar5667新虫 (著名写手)
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能带反转，有懂的大侠过来解惑解惑！ 已有3人参与
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最近看了篇文献，计算了HgTe的能带（含spin orbit coupling）,局域密度近似的计算结果图1如下： 其中作者标定了价带顶轻空穴带和重空穴带为Gamma8（图中用8表示），Gamma7为自旋耦合分裂带，Gamma6为导带底 翻转到7下面，形成了所谓的负带隙半导体或零带隙金属，与灰锡的能带结构类似。 但作者又做了QSGW能带修正计算，计算结果如图2所示：  根据结果，作者把自旋耦合分裂带Gamma7和导带底Gamma6又重新进行了标定，此时6位于7之上。 我通过LDA计算也得到了作者类似的能带图，我最初认为中间那条能带是导带底翻转过来的，最下面那条才是自旋耦合分裂带，看了这篇文献之后我自己就疑惑了，所以我的问题是如何才能像作者那样标定6， 7 ，8能带的归属，通过什么可以判定呢？ 高手们都进来看看，解答解答！ |
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oscar5667
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