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安静参

铜虫 (小有名气)

[求助] 仪器参数问题 已有1人参与

本人研二,刚进实验室不久,实验室waters ,AB SCIEX. angilent  还有热电的质谱都有。想问问各位大神几个问题:1、CID碰撞诱导裂解是不是一般发生在Q2,然后看到有些帖子说如果源内加电压也会发生源内CID,还有什么是CAD    2、QQQ, Q-TRAP  Q-TOF是否只是Q3有区别  3、印象中只知道四级杆,看到很多质谱有六极杆,有些还有八极杆,这些是安装在什么地方,和四极杆有什么不同吗  4、Q0是起什么作用的,Q1和Q2及Q2和Q3之间是什么装置  5、AB的DP电压,安捷伦的Fragment voltage,waters的cone voltage 和thermo的 skimmer offset是不是都是一回事,还有好多电压,气体参数,好像很多家都有不同叫法,如果哪位能总结一下就好了。
问题比较多,希望前辈们能回答一下,谢谢

[ Last edited by 安静参 on 2014-7-27 at 11:15 ]
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安静参

铜虫 (小有名气)

看来帖子要沉了。
2楼2014-07-27 19:30:21
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浩海烟波

铁虫 (小有名气)


【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
费姚永芬: 金币+3, 谢谢应助交流,欢迎常来分析版 2014-07-27 22:27:52
1,在串级质谱中Q2就是CID,但是有些化合物不稳定,在普通的单杆质谱中就回发生裂解,CAD是一种类似ESI质谱的喷雾检测器,2,Qqq是三重四级杆,q-trap是ab的串联四级杆复合线性离子阱,q3是一个线性离子阱lit,q-tof就像把q3换成飞行时间质谱,高分辩,定行能力强。

只知道简单的,其他的虽然明白点,但是不是很懂,就请高手来解释一下吧!
3楼2014-07-27 22:18:33
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