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shmilyztfxx木虫 (著名写手)
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在小木虫上帖子中泡了好久还未解决~~~关于赝电容CV，充放电，阻抗的几个具体问题！！已有1人参与
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各位前辈好：赝电容分析有几个问题，请大家帮忙，谢谢~~ 关于CV曲线（具体请见图片）： 1.我的结果里面CV曲线中电流I的氧化峰值小于还原峰值，请问是什么原因呢，式样是否需要重新测定呢？（参考文献里面I还原小于I氧化） 2.算氧化还原电位差值选高扫速还是低扫速好呢？ 3.氧化还原电位差判断反应是否可逆，文献是说小于58/n mv就可逆，我的氧化还原反应电子转移数是1，那就应该是小于58 mv. 但是我取最高氧化峰和最高还原峰对应的电位的差值（1mv/s是0.17V, 50mv/s是0.41V左右），算起来就是170mv或者410 mv，是我试样有问题吗？ 4.氧化还原电位差值越小越好，为什么呢？ 5. 关于起始点，论文里面都是从0V开始的，但是我的式样找氧化还原区间测CV曲线有的从-1V开始而且未闭合，可以这样测吗，或者是测定之后可以人为的平移到0为起点并且闭合曲线吗？ 关于充放电： 1. 充放电曲线的最高值有什么意义呢，是不是越高越好呢？ 2. 放电时间>充电时间，正常吗？ 关于阻抗谱： 1．阻抗谱由一个半圆和一条直线组成。文献里面说半圆的起点（X轴上）表示电解质里面的内阻，我的式样在同一个电解中测量的，但是起点有差距有点大，是不是因为式样连接线设置的时候影响那个起点值呢？作图的时候我可以人为的把起点统一吗？ 第一次接触到电化学分析，请各位前辈帮忙解答，感激涕零~~~~~祝各位一切安好~~~  그림1.jpg |
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shmilyztfxx
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