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851226

金虫 (正式写手)

[求助] 钛酸钡 磁控溅射 衬底升温至660℃依然得到非晶膜。求问什么原因? 已有1人参与

各位大神好!最近刚刚接触磁控溅射。。。想做钛酸钡的溅射。但是总是得到非晶膜。
第一次均在衬底是室温下溅射的,得到的都是非晶薄膜,700-900°C退火以后一堆杂峰。
第二次做之前查阅了一下文献,发现需要在衬底高温下进行溅射。于是调整工艺参数。
条件如下:
仪器 PVD Products
靶材 3 inch, 也就是7.5 cm直径, 功率 70W, 算的功率密度约为1.59W/cm2
气氛 Ar/O2 4:1 (流速20sccm:5sccm) 气压试过5mTorr 和15mTorr;
衬底用的Si/5 nm Cr/30 nm Pt,衬底温度设定700 实际温度为660,升温速度25/min, 降温15/min
靶到衬底的距离为12cm
溅射1.5小时得到45nm左右厚的薄膜,即是说大约为0.5 nm/min。
溅射出来的,仍然是非晶。
800下快速退火,得到的XRD跟第一次室温溅射后退火的XRD一样。。。貌似有一点钛酸钡但是大部分都是不知道什么归属的杂峰,且杂峰为主。。。
盼望有经验的大神挑一下到底是什么毛病,指导一下
XRD请看附图

我同时还尝试溅射了钴铁氧。室温下溅射得到的非晶,退火后乱七八糟。但是衬底升温至350℃时就得到了钴铁氧的结晶薄膜了。钴铁氧的溅射条件中,只有气氛和温度不一样,其他均一样。用的是纯氩气。条件是:
靶材 3 inch, 功率 70W, 算的功率密度约为1.59W/cm2
气氛 Ar (流速20sccm) 气压 5mTorr;
衬底用的Si/5 nm Cr/30 nm Pt,衬底温度350-650
靶到衬底的距离为12cm
溅射1.5小时得到60nm左右厚的薄膜。

同样是溅射 差距咋这么大呢

钛酸钡 磁控溅射 衬底升温至660℃依然得到非晶膜。求问什么原因?
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851226

金虫 (正式写手)

没人回复我自己来回复吧。。。此问题已经解决了。。。
2楼2014-07-24 04:45:43
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彬彬3028

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

是什么问题啊?怎么解决的?是不是退火气氛问题?
justdoit
3楼2014-07-24 09:13:11
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851226

金虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★
ivansdk: 金币+5, 欢迎各位虫友将自己的解决方案分享 2014-09-11 17:52:34
引用回帖:
3楼: Originally posted by 彬彬3028 at 2014-07-24 09:13:11
是什么问题啊?怎么解决的?是不是退火气氛问题?

1. power is not high enough to make the film crystallize
2. Annealing at 800 is so high that Pt react with Si to form PtxSiy...
4楼2014-09-11 17:03:38
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whulsz

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by 851226 at 2014-09-11 17:03:38
1. power is not high enough to make the film crystallize
2. Annealing at 800 is so high that Pt react with Si to form PtxSiy......

请问你最后成功制备BaTiO3薄膜的具体条件是什么样的?
5楼2015-01-07 12:49:34
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匿名

用户注销 (著名写手)


本帖仅楼主可见
6楼2017-11-03 16:54:11
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强哥哥哥

新虫 (著名写手)

其实我很好奇。。。做这么薄?做电容器一般500nm左右。。你要溅射多长时间呀。。那个功率密度算这个有什么影响吗?

发自小木虫Android客户端
7楼2017-11-05 23:24:45
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匿名

本帖仅楼主可见
8楼2020-12-03 15:49:57
已阅   申请FPI   回复此楼   编辑   查看我的主页
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