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shensuling

铁虫 (初入文坛)

[求助] 200℃在氮气氛围下退火silicon

求问：
200℃在氮气氛围下退火silicon ，silicon是用HF处理过的，请问silicon的表面会发生什么变化？可以进行合理的推测！！
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1楼 2014-07-07 15:05:28
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shensuling

铁虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by peterflyer at 2014-07-07 20:52:52
感觉对于这些，温度还是有些低了。我也怀疑会不会是表面的洁净程度发生了某种改变。...

我是在氮气的氛围下 手套箱里退火的 清洁度应该有保证 silicon-H键在200摄氏度的情况下不会发生变化吗？感觉这个键能不是很大
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7楼2014-07-07 21:14:15
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer

【答案】应助回帖

200℃在氮气氛围下退火的硅应该不会发生任何化学变化。如果硅是刚刚用HF处理过的，表面还来不及氧化，那么表面应该是纯硅。纯硅和氮气在200度下应该无任何反应，但也不会扩散或渗透进硅表面，因为温度毕竟太低了。
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2楼2014-07-07 16:00:10
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shensuling

铁虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by peterflyer at 2014-07-07 16:00:10
200℃在氮气氛围下退火的硅应该不会发生任何化学变化。如果硅是刚刚用HF处理过的，表面还来不及氧化，那么表面应该是纯硅。纯硅和氮气在200度下应该无任何反应，但也不会扩散或渗透进硅表面，因为温度毕竟太低了。

可是我做过一些测试 退火前后的性质确实不一样 退火后性质提升 我还在郁闷找不到原因？？
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3楼2014-07-07 17:04:10
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer
引用回帖:
3楼: Originally posted by shensuling at 2014-07-07 17:04:10
可是我做过一些测试 退火前后的性质确实不一样 退火后性质提升 我还在郁闷找不到原因？？...

那些性质得到大幅提升了呢？做过重复试验进行验证了吗？
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4楼2014-07-07 17:50:51
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