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1楼 2014-06-27 21:51:31
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卡开发发

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Ab Initio Amateur
引用回帖:
5楼: Originally posted by glddoyss at 2014-06-28 14:26:20
表面，我的设置是看了一些文献之后弄的。...

金属表面还是非金属表面？
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6楼2014-06-28 14:38:48
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卡开发发

专家顾问 (著名写手)

Ab Initio Amateur
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
gmy1990: 金币+3, thanks 2014-06-28 06:13:47
glddoyss(zhou2009代发): 金币+8 2014-06-29 20:10:04
说说我自己的观点，可能不一定完全正确，望各位前辈指正：
1、原则上热拖尾（或称为展宽、分数占据）对于孤立分子不应该考虑，热拖尾计算得到的能量和一些其他性质都是不准确的。
2、smearing来自于有限温度的方法，其中一种如Fermi-Dirac展宽，smearing的值=Boltzmann常量*温度。当0K时，电子在分子自旋轨道的占据只能是0或1，若前线轨道较为密集，则迭代过程占据、非占据轨道发生混合，能量振荡。若计算中考虑Fermi-Dirac展宽，电子就会按照这个F-D分布函数将一部分电子排到混合的原本的非占据态上，此时能量振荡减小。问题在于scf中得到的能量是电子的自由能，自由能和能量的关系F=E-TS，由于采用了“有限温度”，熵也不是0，导致能量计算不准确。
3、不知道你指的步长是？对于几何优化限制位移的步长可通过界面下的MaxstepSize进行调整。

Dmol3遇到难收敛的情况看场合，如果体系有磁性，那么需要合理设定每个原子的初始自旋，保证结构、体系电荷大致合理，这是第一步。然后这些都没问题先尝试减小charge mix，如果convergence整体呈下降趋势但较慢可适当增加DIIS size，除了这些Dmol3也可以像Gaussian那样才有能级提升的方法，将计算文件保存后将occupied这一项（原来可能是thermal或Fermi）修改为level_shift xxx（xxx为能级提升的值，单位为Ha），手头上没MS，有些地方记得不是很清楚，建议看看help。如果上述还不行，可适当采用smearing做优化，得到结构后再降低直至去除smearing进行优化。如果实在去除smearing无法进行计算，smeaing很小的时候，此时温熵项可能也很小，比如1meV/atom几乎可忽略，此时应读取的能量是外推到0K的键能，而非一般时候采用的总能。
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2楼2014-06-28 00:38:30
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匿名

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3楼2014-06-28 11:07:31
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卡开发发

专家顾问 (著名写手)

Ab Initio Amateur
有这种可能性。不过你搜索完过渡态是否检查虚频和优化过渡态？另外你的体系是表面？还是孤立分子？这两种在smearing的处理可能都会有差异。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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4楼2014-06-28 12:19:57
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