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卡开发发

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gmy1990: 金币+3, thanks 2014-06-28 06:13:47
glddoyss(zhou2009代发): 金币+8 2014-06-29 20:10:04
说说我自己的观点,可能不一定完全正确,望各位前辈指正:
1、原则上热拖尾(或称为展宽、分数占据)对于孤立分子不应该考虑,热拖尾计算得到的能量和一些其他性质都是不准确的。
2、smearing来自于有限温度的方法,其中一种如Fermi-Dirac展宽,smearing的值=Boltzmann常量*温度。当0K时,电子在分子自旋轨道的占据只能是0或1,若前线轨道较为密集,则迭代过程占据、非占据轨道发生混合,能量振荡。若计算中考虑Fermi-Dirac展宽,电子就会按照这个F-D分布函数将一部分电子排到混合的原本的非占据态上,此时能量振荡减小。问题在于scf中得到的能量是电子的自由能,自由能和能量的关系F=E-TS,由于采用了“有限温度”,熵也不是0,导致能量计算不准确。
3、不知道你指的步长是?对于几何优化限制位移的步长可通过界面下的MaxstepSize进行调整。

Dmol3遇到难收敛的情况看场合,如果体系有磁性,那么需要合理设定每个原子的初始自旋,保证结构、体系电荷大致合理,这是第一步。然后这些都没问题先尝试减小charge mix,如果convergence整体呈下降趋势但较慢可适当增加DIIS size,除了这些Dmol3也可以像Gaussian那样才有能级提升的方法,将计算文件保存后将occupied这一项(原来可能是thermal或Fermi)修改为level_shift xxx(xxx为能级提升的值,单位为Ha),手头上没MS,有些地方记得不是很清楚,建议看看help。如果上述还不行,可适当采用smearing做优化,得到结构后再降低直至去除smearing进行优化。如果实在去除smearing无法进行计算,smeaing很小的时候,此时温熵项可能也很小,比如1meV/atom几乎可忽略,此时应读取的能量是外推到0K的键能,而非一般时候采用的总能。
不一定挂在论坛,计算问题问题欢迎留言。
2楼2014-06-28 00:38:30
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匿名

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3楼2014-06-28 11:07:31
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卡开发发

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有这种可能性。不过你搜索完过渡态是否检查虚频和优化过渡态?另外你的体系是表面?还是孤立分子?这两种在smearing的处理可能都会有差异。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
不一定挂在论坛,计算问题问题欢迎留言。
4楼2014-06-28 12:19:57
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匿名

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5楼2014-06-28 14:26:20
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卡开发发

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引用回帖:
5楼: Originally posted by glddoyss at 2014-06-28 14:26:20
表面,我的设置是看了一些文献之后弄的。...

金属表面还是非金属表面?
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6楼2014-06-28 14:38:48
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匿名

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7楼2014-06-28 16:51:47
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linabeiruoyi

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引用回帖:
4楼: Originally posted by 卡开发发 at 2014-06-28 12:19:57
有这种可能性。不过你搜索完过渡态是否检查虚频和优化过渡态?另外你的体系是表面?还是孤立分子?这两种在smearing的处理可能都会有差异。

请问反应能能垒是负值说明什么?这种反应非常容易发生?
8楼2016-07-12 16:25:51
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卡开发发

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引用回帖:
8楼: Originally posted by linabeiruoyi at 2016-07-12 16:25:51
请问反应能能垒是负值说明什么?这种反应非常容易发生?...

如果是自由能能垒的话这都不算是过渡态了,也有可能是搜索的结构不合理啊,比如不太物理的固定,或者smearing不合理,这些都有可能导致能垒负值。
不一定挂在论坛,计算问题问题欢迎留言。
9楼2016-07-12 17:55:04
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