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heda312木虫 (小有名气)
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[求助]
关于氧化物薄膜晶体管中的关态电流 已有1人参与
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| 请问，在氧化物薄膜晶体管中（磁控溅射有源层），什么因素决定了器件的关态电流大小，关态电流与场效应迁移率，阈值和电导等有什么关系，解释的越详细越好，谢谢！！！ |
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【答案】应助回帖
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heda312: 金币+50, ★★★很有帮助 2014-10-14 09:31:27
heda312: 金币+50, ★★★很有帮助 2014-10-14 09:31:27
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首先看你的氧化物是amorphous还是polycrystalline, 如果你的post-annealing 温度过高，或者材料容易结晶，变成poly由于grain bounday漏电会比较大。如果假设你的是amorphous的IGZO，影响漏电因素太多了，比如你的process control，比如O2/Ar ratio。还有一个还得看绝缘层，off-current有几条path，one from source to drain through channel，one from gate to drain through insulator。 Mobility首先看材料本身特性，还有就是看你如果control the oxygen vacancy，从而决定carrier concentration，carrier concentration对mobility影响很大。如果假设你是enhancement-mode IGZO TFT, 那就是channel/insulator的interface会很重要。 这些基础的东西可以建议看看Wager的Transparent Electronics或者Hosono的相关paper，这些问题早期已解决文章无数。 |
2楼2014-10-14 01:37:00