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集成电路为什么在一个半导体wafer上,不怕整个wafer导通吗?
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集成电路为什么在一个半导体wafer上,不怕整个wafer导通吗?
已有1人参与
集成电路为什么在一个半导体wafer上,不怕整个wafer导通吗?毕竟半导体是导电的。每个器件之间需要什么绝缘体隔离吗?如果要隔离,IC为什么还做在半导体晶圆上?
[
Last edited by 华丽的飘过 on 2012-9-22 at 21:43
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2012-03-29 19:38:03
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专业: 电路与系统
可以根据不同的需要制作很多WELL,在well之间可以用SiO2隔离,所以不会出现你所提到问题的!
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8楼
2012-04-01 11:12:20
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kingdomzjx
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你的问题是关于集成电路的隔离的。
集成电路中多个器件制造在一个衬底上,如果不隔离是肯定连通了,因此需要做隔离工艺。
大致分为两类,一类为元器件之间自然隔离的;另一类是做隔离工艺实现隔离的,如pn结隔离、介质隔离。
pn结隔离就是把需要隔离的器件放一个独立的隔离区内,比如衬底是P型的,隔离区选择N型,用这个隔离区形成一个独立的封闭的区域,包围住需要隔离的器件,把衬底接最低电位,这样由衬底和隔离区组成的PN结就处于反偏状态了,制造在隔离区围成的空间里的器件就与其他器件在电学上绝缘了。
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坚持很重要,选择更重要!
10楼
2012-12-01 20:08:12
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2012-03-30 16:18:06
Si晶片表面是要经过氧化为SiO2的,然后涂上光刻胶,曝光、显影后,有的地方的SiO2被腐蚀掉,这时再掺杂就可以形成Pn节之类的
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什么都没意思就真没意思了
2楼
2012-03-29 22:06:56
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专业: 激光
wafer 导电吗?
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2012-03-29 23:34:52
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2012-03-30 16:18:15
p区里注入很多个n区,p区是共用的,导通又怎样。。。
wafer本身不掺杂导电很弱吧。。。
需要隔离的地方会挖槽沉积二氧化硅的。。。
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我是一个虚伪的人。
4楼
2012-03-30 00:53:19
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2012-03-30 16:18:24
集成电路做在一个wafer是为了有更好的电特性的一致性吧,在模电中貌似用集成电路的话会比单个元件之间的互联效果好的多,比如电压比较器很少用两个三极管的,做在一个集成电路中控制好了工艺才有较好的工作点。至于导电的问题,在不掺杂的情况下半导体的电阻率还是挺高的,而且集成电路实现功能的时候一般都是PN型之间配合,单个的wafer一般都是同一类型做衬底,然后通过一些工艺按要求往上沉积其他的类型(P+、N等),这样形成了结区,才能有整流或者放大的功能。
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5楼
2012-03-30 11:14:45
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2012-03-30 16:18:31
半导体材料导电性介于导体与绝缘体之间,经过掺杂等工艺可以变成导体,以制备各种电子器件,如最基本的PN、MOS管等,形成复杂的具有各种功能的电路,这是使用半导体材料的独特特性,别的材料替代不了。至于器件间的隔离,半导体材料反应可以生成很好的绝缘体材料,如将Si氧化成SiO2,起到绝缘的作用,又或者通过沉积绝缘材料等,所以不用担心整个片子的导通问题。
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6楼
2012-03-30 12:04:18
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2012-03-31 14:53:41
1.wafer的电阻较高,就算有漏电流也很小,可以不考虑。
2.设计者想了很多办法防止器件之间产生意外的较大的寄生漏电流,如隔离等。
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7楼
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怕 所以一般的情况下 整块接地 不行就用阱隔离了
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