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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 求大神帮助解释下一薄膜晶体管的输出曲线异常现象
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仲夏夜的梦

木虫 (小有名气)

[求助] 求大神帮助解释下一薄膜晶体管的输出曲线异常现象

我做了一种薄膜晶体管，转移曲线都正常开关比10^6左右，亚阈值斜率90mV/dec左右，可是输出曲线在刚进入饱和区的时候是先上升再下降然后变成基本不变的水平线，就相当于是在常规的饱和区开头处形成了一个小包一样，求大神来解释下这是什么原因。
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大音希声，大象无形
1楼 2012-07-16 22:46:00
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yzzzwei

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

你说的输出曲线是IV曲线吗？下降那岂不是有负微分电阻效应？
可贴出图来吗？
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2楼2012-08-31 19:01:52
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twieain

铁虫 (小有名气)
楼主，弱弱问问，什么是开关比，怎么算开关比，谢谢
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3楼2013-04-25 14:10:17
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仲夏夜的梦

木虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by twieain at 2013-04-25 14:10:17
楼主，弱弱问问，什么是开关比，怎么算开关比，谢谢

就是电流的开态与关态之比。不严格的讲，就是测到的转移曲线最大值与最小值之比
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大音希声，大象无形
4楼2013-04-25 15:25:51
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朝花夕拾ao

金虫 (正式写手)

天道酬勤
开关比小点了。SS值还可以，用的高K介电材料吧。氧化铝？这是电流过冲现象。
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Keepcalmandcarryon
5楼2013-07-15 10:15:55
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仲夏夜的梦

木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yzzzwei at 2012-08-31 19:01:52
你说的输出曲线是IV曲线吗？下降那岂不是有负微分电阻效应？
可贴出图来吗？

负微分电阻效应在这种晶体管中观测到无数次，尤其在大电压下。不过很多问题不知如何说明。
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大音希声，大象无形
6楼2013-07-16 17:43:41
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仲夏夜的梦

木虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 朝花夕拾ao at 2013-07-15 10:15:55
开关比小点了。SS值还可以，用的高K介电材料吧。氧化铝？这是电流过冲现象。

二氧化硅，可能是电流过冲现象吧。
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大音希声，大象无形
7楼2013-07-16 17:46:11
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朝花夕拾ao

金虫 (正式写手)

天道酬勤
引用回帖:
7楼: Originally posted by 仲夏夜的梦 at 2013-07-16 17:46:11
二氧化硅，可能是电流过冲现象吧。...

哦，说实话我用二氧化硅还真没出现这种情况。
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Keepcalmandcarryon
8楼2013-07-18 14:34:12
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仲夏夜的梦

木虫 (小有名气)
引用回帖:
8楼: Originally posted by 朝花夕拾ao at 2013-07-18 14:34:12
哦，说实话我用二氧化硅还真没出现这种情况。...

你的二氧化硅应该是热氧化长的吧？工艺不一样，我的是常温工艺，非晶。
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大音希声，大象无形
9楼2013-07-20 10:25:47
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朝花夕拾ao

金虫 (正式写手)

天道酬勤
引用回帖:
9楼: Originally posted by 仲夏夜的梦 at 2013-07-20 10:25:47
你的二氧化硅应该是热氧化长的吧？工艺不一样，我的是常温工艺，非晶。...

我是热氧化的。哦，看来你是用别的生长方法制备的。常温制备介电层确实容易出现电流过冲。我当时用PLD常温制备氧化铝也类似
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Keepcalmandcarryon
10楼2013-07-23 13:50:27
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