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南南方

铜虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
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专业: 半导体材料

[求助] 电沉积氧化亚铜，想请问下小木虫大神已有2人参与

1.在做电沉积氧化亚铜的时候，不知道大家是通过什么样的方法来控制薄膜厚度，我看到文献上大部分的都是通过控制时间来控制薄膜厚度，但是个人觉得是应该根据法拉第定律，通过沉积电量来控制薄膜的厚度。不知道这个想法有没有错

2.在做电沉积氧化亚铜的过程中，有时候电量很大，但是ITO玻璃上却并没有得到薄膜。不知道这是什么原因，所以想请教各位大神。

3.如果发生了有电量却在ITO上并没有得到薄膜的时候，我们应该通过其他什么样的方法来控制薄膜厚度。

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生于忧患死于安乐

1楼 2014-06-11 14:50:13

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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)

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【答案】应助回帖

不对的。。经常电流效率不是100%，也就是不是所有电流都用来沉积了

3楼2014-11-26 11:01:36

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gaoxin870605

金虫 (小有名气)

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专业: 半导体材料

【答案】应助回帖

想请问一下，电沉积氧化亚铜能沉积上吗？我做了好久实验，用电化学工作站CHI660e沉积的，选择的是chronoamperpmetry沉积，不知道为什么老沉积不上？？想跟楼主交流一下呢

2楼2014-11-25 22:12:14

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