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电沉积氧化亚铜,想请问下小木虫大神
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南南方
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应助: 0
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虫号: 1571966
注册: 2012-01-10
性别: GG
专业: 半导体材料
[
求助
]
电沉积氧化亚铜,想请问下小木虫大神
已有2人参与
1.在做电沉积氧化亚铜的时候,不知道大家是通过什么样的方法来控制薄膜厚度,我看到文献上大部分的都是通过控制时间来控制薄膜厚度,但是个人觉得是应该根据法拉第定律,通过沉积电量来控制薄膜的厚度。不知道这个想法有没有错
2.在做电沉积氧化亚铜的过程中,有时候电量很大,但是ITO玻璃上却并没有得到薄膜。不知道这是什么原因,所以想请教各位大神。
3.如果发生了有电量却在ITO上并没有得到薄膜的时候,我们应该通过其他什么样的方法来控制薄膜厚度。
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1楼
2014-06-11 14:50:13
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gaoxin870605
金虫
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虫号: 1399746
注册: 2011-09-13
性别:
MM
专业: 半导体材料
【答案】应助回帖
想请问一下,电沉积氧化亚铜能沉积上吗?我做了好久实验,用电化学工作站CHI660e沉积的,选择的是chronoamperpmetry沉积,不知道为什么老沉积不上??想跟楼主交流一下呢
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2楼
2014-11-25 22:12:14
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gxytju2008
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注册: 2010-09-29
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专业: 材料物理化学
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【答案】应助回帖
不对的。。经常电流效率不是100%,也就是不是所有电流都用来沉积了
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3楼
2014-11-26 11:01:36
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