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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】缺陷是怎么捕获电荷的呢?

在半导体材料中,掺杂的材料会形成缺陷。那么对于不不同的掺杂类型(n型和p型)中的缺陷是怎么捕获电荷的呢?缺陷带正电还是负电,所带电量的大小,由什么决定呢?

[ Last edited by zt970831 on 2008-4-18 at 18:51 ]
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cnncheese

金虫 (小有名气)


lvzhu2007(金币+1,VIP+0):感谢您的交流,欢迎常来物理版:-)
可以看一下有关缺陷化学的书。
产生的电子缺陷的种类是自由电子还是带正电的空穴来区分是n还是P型。
例如当P取代了四价的硅,该置换后的缺陷带正电荷,则需要负电荷的电子缺陷去中和。所以产生自由电子缺陷,载流子为e。
7楼2008-04-03 00:01:59
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dreampursuer

金虫 (正式写手)

呵呵,看来你要对自已进行科普了,
君子博学而日参醒乎己。
2楼2008-03-21 16:59:39
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元小雪

木虫 (职业作家)


zt970831(金币+1,VIP+0):谢谢您的答复:)
用量子力学的话说,就是缺陷处形成 了势阱,把电子束缚在里面了
无聊的博士
3楼2008-03-21 20:54:56
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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)

谁帮咱科普一下啊
4楼2008-03-22 21:44:27
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