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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】缺陷是怎么捕获电荷的呢?

在半导体材料中,掺杂的材料会形成缺陷。那么对于不不同的掺杂类型(n型和p型)中的缺陷是怎么捕获电荷的呢?缺陷带正电还是负电,所带电量的大小,由什么决定呢?

[ Last edited by zt970831 on 2008-4-18 at 18:51 ]
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dreampursuer

金虫 (正式写手)

呵呵,看来你要对自已进行科普了,
君子博学而日参醒乎己。
2楼2008-03-21 16:59:39
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元小雪

木虫 (职业作家)


zt970831(金币+1,VIP+0):谢谢您的答复:)
用量子力学的话说,就是缺陷处形成 了势阱,把电子束缚在里面了
无聊的博士
3楼2008-03-21 20:54:56
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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)

谁帮咱科普一下啊
4楼2008-03-22 21:44:27
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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)

没人给咱科普一下啊
5楼2008-04-02 22:50:12
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guoluo

铜虫 (小有名气)


lvzhu2007(金币+1,VIP+0):感谢您的交流,欢迎常来物理版:-)
在带隙间会产生很多局域态,捕获电子和空虚
6楼2008-04-02 23:01:36
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cnncheese

金虫 (小有名气)


lvzhu2007(金币+1,VIP+0):感谢您的交流,欢迎常来物理版:-)
可以看一下有关缺陷化学的书。
产生的电子缺陷的种类是自由电子还是带正电的空穴来区分是n还是P型。
例如当P取代了四价的硅,该置换后的缺陷带正电荷,则需要负电荷的电子缺陷去中和。所以产生自由电子缺陷,载流子为e。
7楼2008-04-03 00:01:59
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HONG786

铜虫 (初入文坛)

半导体中的杂质缺陷???


lvzhu2007(金币+1,VIP+0):感谢您的交流,欢迎常来物理版:-)
根本上,杂质/缺陷俘获电子和空穴应当是该处原子势场的改变,造成对周期势的破坏,可以形成禁带中的局域态能级(也可以是导价带中的非定域能级).e/h布居该能级即可视为俘获
缺陷带正电/负电,及电量的多少,从能量上看,可以分别缺陷由+N,-N(N=1,2..)构成的体系能量最低的态决定(即该态形成能最低).简单地,可以由杂质与本体得失电子能力来判断其为施主/受主...
个人意见,仅供参考
... There is plenty of room at the bottom! ...
8楼2008-04-03 01:08:23
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zhouliang768


musi429(金币+1,VIP+0):多谢交流~~
在掺杂体系中,由于主体材料和客体材料的导带(LUMO)和价带(HOMO)不同,以至于电子或空穴在进入掺杂体系以后,会优先的选择能量较低的状态,所以就造成了载流子俘获现象。
9楼2008-04-03 09:45:47
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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)


lvzhu2007(金币+1,VIP+0):感谢交流,欢迎常来物理版 :-)
也就是说,材料掺杂后,杂质捕获或者失去电荷,形成缺陷。材料是n型还是p型 要根据杂质是捕获还是失去电子,所带电荷的大小,要根据其捕获或者失去电子的能力来衡量。
10楼2008-04-03 12:58:31
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