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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 基础研究 » 【求助】缺陷是怎么捕获电荷的呢？
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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】缺陷是怎么捕获电荷的呢？

在半导体材料中，掺杂的材料会形成缺陷。那么对于不不同的掺杂类型（n型和p型）中的缺陷是怎么捕获电荷的呢？缺陷带正电还是负电，所带电量的大小，由什么决定呢?

[ Last edited by zt970831 on 2008-4-18 at 18:51 ]
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1楼 2008-03-21 13:44:49
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dreampursuer

金虫 (正式写手)
呵呵，看来你要对自已进行科普了，
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君子博学而日参醒乎己。
2楼2008-03-21 16:59:39
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元小雪

木虫 (职业作家)
★
zt970831(金币+1,VIP+0):谢谢您的答复：）
用量子力学的话说,就是缺陷处形成 了势阱,把电子束缚在里面了
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无聊的博士
3楼2008-03-21 20:54:56
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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)
谁帮咱科普一下啊
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4楼2008-03-22 21:44:27
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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)
没人给咱科普一下啊
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5楼2008-04-02 22:50:12
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guoluo

铜虫 (小有名气)
★
lvzhu2007(金币+1,VIP+0):感谢您的交流，欢迎常来物理版:-)
在带隙间会产生很多局域态，捕获电子和空虚
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6楼2008-04-02 23:01:36
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cnncheese

金虫 (小有名气)
★
lvzhu2007(金币+1,VIP+0):感谢您的交流，欢迎常来物理版:-)
可以看一下有关缺陷化学的书。
产生的电子缺陷的种类是自由电子还是带正电的空穴来区分是n还是P型。
例如当P取代了四价的硅，该置换后的缺陷带正电荷，则需要负电荷的电子缺陷去中和。所以产生自由电子缺陷，载流子为e。
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7楼2008-04-03 00:01:59
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HONG786

铜虫 (初入文坛)

半导体中的杂质缺陷???

★
lvzhu2007(金币+1,VIP+0):感谢您的交流，欢迎常来物理版:-)
根本上,杂质/缺陷俘获电子和空穴应当是该处原子势场的改变,造成对周期势的破坏,可以形成禁带中的局域态能级(也可以是导价带中的非定域能级).e/h布居该能级即可视为俘获
缺陷带正电/负电,及电量的多少,从能量上看,可以分别缺陷由+N,-N(N=1,2..)构成的体系能量最低的态决定(即该态形成能最低).简单地,可以由杂质与本体得失电子能力来判断其为施主/受主...
个人意见,仅供参考
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... There is plenty of room at the bottom! ...
8楼2008-04-03 01:08:23
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zhouliang768

★
musi429(金币+1,VIP+0):多谢交流～～
在掺杂体系中，由于主体材料和客体材料的导带（LUMO)和价带（HOMO)不同，以至于电子或空穴在进入掺杂体系以后，会优先的选择能量较低的状态，所以就造成了载流子俘获现象。
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9楼2008-04-03 09:45:47
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anyupenglilin

铜虫 (小有名气)
★
lvzhu2007(金币+1,VIP+0):感谢交流，欢迎常来物理版 :-)
也就是说，材料掺杂后，杂质捕获或者失去电荷，形成缺陷。材料是n型还是p型 要根据杂质是捕获还是失去电子，所带电荷的大小，要根据其捕获或者失去电子的能力来衡量。
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10楼2008-04-03 12:58:31
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