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cltwithky

新虫 (小有名气)

[求助] 求助利用溅射仪生长MgO与SiO2绝缘层为什么达不到绝缘的效果? 已有1人参与

求助,利用溅射仪生长40-50纳米的MgO都不绝缘,生长80nm的SiO2也达不到绝缘的效果,求虫虫们帮助啊!!
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cord

铁杆木虫 (著名写手)


引用回帖:
5楼: Originally posted by cltwithky at 2014-05-26 22:31:36
一般长时间生长氧化镁或者二氧化硅的时候需要用水冷衬底吗...

看你多长时间了,功率不高,1个小时的话,不需要。
6楼2014-05-27 23:49:13
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cord

铁杆木虫 (著名写手)


【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
cltwithky: 金币+5, 有帮助 2014-05-26 13:37:13
溅射时离子轰击会导致薄膜中针孔出现,这个会导致很薄的绝缘层达不到绝缘效果。
需要调整你的溅射工艺。
2楼2014-05-23 22:56:20
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cltwithky

新虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by cord at 2014-05-23 22:56:20
溅射时离子轰击会导致薄膜中针孔出现,这个会导致很薄的绝缘层达不到绝缘效果。
需要调整你的溅射工艺。

这个避免针孔除了低气压下生长还需要哪些别的条件吗?
3楼2014-05-24 10:08:47
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cord

铁杆木虫 (著名写手)


气压越低一般是离子轰击的影响越大.
还可以调节功率, 或者调整一下位置.
4楼2014-05-27 00:38:11
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