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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 求助利用溅射仪生长MgO与SiO2绝缘层为什么达不到绝缘的效果？
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cltwithky

新虫 (小有名气)

[求助] 求助利用溅射仪生长MgO与SiO2绝缘层为什么达不到绝缘的效果？ 已有1人参与

求助，利用溅射仪生长40-50纳米的MgO都不绝缘，生长80nm的SiO2也达不到绝缘的效果，求虫虫们帮助啊！！
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1楼 2014-05-23 16:58:41
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cltwithky

新虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by cord at 2014-05-23 22:56:20
溅射时离子轰击会导致薄膜中针孔出现，这个会导致很薄的绝缘层达不到绝缘效果。
需要调整你的溅射工艺。

这个避免针孔除了低气压下生长还需要哪些别的条件吗？
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3楼2014-05-24 10:08:47
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cltwithky

新虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by cord at 2014-05-27 00:38:11
气压越低一般是离子轰击的影响越大.
还可以调节功率, 或者调整一下位置.

一般长时间生长氧化镁或者二氧化硅的时候需要用水冷衬底吗
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5楼2014-05-27 13:31:36
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cltwithky

新虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by cord at 2014-05-27 23:49:13
看你多长时间了，功率不高，1个小时的话，不需要。...

如果提高衬底温度，二氧化硅或者氧化镁薄膜会变的更加致密吧？会不会提高绝缘效果呢？
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7楼2014-05-29 15:30:19
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