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急问：磁控溅射生长NiO薄膜，测不出XRD？ 多谢！ 已有9人参与
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急问：磁控溅射生长NiO薄膜，测不出XRD？ 多谢！ 新手上路，哈哈 射频生长、NiO薄膜，想测出XRD： 3寸NiO靶材，在玻璃基板上， 首先，用120w，170w的RF，通Ar：O2 为15，15sccm，沉积1小时，虽然靶材中间出现了裂纹，但生长的膜，还是太薄，或者结晶差，测不出XRD。 然后，用100w的RF，通Ar：O2 为50，50sccm，沉积1小时，还是测不出XRD的峰。 到底该怎么做呢？ 多谢！ |
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【答案】应助回帖
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ljlaser: 金币+3, 很全面，多谢 2014-06-11 09:34:45
ljlaser: 金币+3, 很全面，多谢 2014-06-11 09:34:45
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首先，对于你靶材开裂的情况，你用的NiO靶材是陶瓷的，散热不是太好，在进行溅射时应该溅射一段时间，停一段时间，如溅射20min,停10min. 第二，对于溅射功率，就陶瓷靶材而言，不应功率太大，防止靶材皲裂，确实需要大功率溅射时，应慢慢增加功率至你需要值，如需300W溅射，你可以先将功率加至100W，溅射一段时间，再逐步加至300W。 第三，对于制备NiO薄膜的工艺，Ni，Fe,Co，在磁场中很容易被磁化，在利用磁控溅射Ni，Fe,Co时，他们被磁化后，屏蔽了靶的磁场，很难溅射，要注意NiO靶材的磁性质。 第四，一般做氧化物薄膜，沉积态下，非晶是正常的，你可以后期退火处理。对于薄膜的XRD测试，在没有薄膜附件的情况下，基本的还是可以做的，但是薄膜的掠入射，残余应力等测试无法进行 |
12楼2014-05-22 09:46:17
2楼2014-05-19 14:55:41
3楼2014-05-19 21:35:41
4楼2014-05-21 10:38:30