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急问:磁控溅射生长NiO薄膜,测不出XRD? 多谢! 已有9人参与
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急问:磁控溅射生长NiO薄膜,测不出XRD? 多谢! 新手上路,哈哈 射频生长、NiO薄膜,想测出XRD: 3寸NiO靶材,在玻璃基板上, 首先,用120w,170w的RF,通Ar:O2 为15,15sccm,沉积1小时,虽然靶材中间出现了裂纹,但生长的膜,还是太薄,或者结晶差,测不出XRD。 然后,用100w的RF,通Ar:O2 为50,50sccm,沉积1小时,还是测不出XRD的峰。 到底该怎么做呢? 多谢! |
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【答案】应助回帖
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ljlaser: 金币+3, 很全面,多谢 2014-06-11 09:34:45
ljlaser: 金币+3, 很全面,多谢 2014-06-11 09:34:45
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首先,对于你靶材开裂的情况,你用的NiO靶材是陶瓷的,散热不是太好,在进行溅射时应该溅射一段时间,停一段时间,如溅射20min,停10min. 第二,对于溅射功率,就陶瓷靶材而言,不应功率太大,防止靶材皲裂,确实需要大功率溅射时,应慢慢增加功率至你需要值,如需300W溅射,你可以先将功率加至100W,溅射一段时间,再逐步加至300W。 第三,对于制备NiO薄膜的工艺,Ni,Fe,Co,在磁场中很容易被磁化,在利用磁控溅射Ni,Fe,Co时,他们被磁化后,屏蔽了靶的磁场,很难溅射,要注意NiO靶材的磁性质。 第四,一般做氧化物薄膜,沉积态下,非晶是正常的,你可以后期退火处理。对于薄膜的XRD测试,在没有薄膜附件的情况下,基本的还是可以做的,但是薄膜的掠入射,残余应力等测试无法进行 |
12楼2014-05-22 09:46:17
2楼2014-05-19 14:55:41
3楼2014-05-19 21:35:41
4楼2014-05-21 10:38:30














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