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为什么利用Stober法制得的纳米SiO2表面含有大量的硅羟基 已有1人参与
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| 请问各位虫友，为什么利用Stober法制得的纳米SiO2表面含有大量的硅羟基，接枝率怎么通过热重曲线计算，还有类似Stober法这种比较经典的制备核壳结构的SiO2的方法，求指教。文献可以给我链接，谢谢啦 |
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夜空守望者2: 金币+50, ★★★很有帮助 2014-05-07 20:12:23
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夜空守望者2: 金币+50, ★★★很有帮助 2014-05-07 20:12:23
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个人觉得您的问题问得不对吧?难道你用其他方法制备的氧化硅球在溶液当中表面就没有硅羟基么? 个人认为一般的物质在自然界中表面都会出现一定的氧化层,而在碱性溶液中会在氧化层的表面出现羟基.这个现在不仅在氧化硅中存在,在其他的金属氧化物当中也会存在的,譬如氧化铁,氧化钛等. |
2楼2014-05-07 18:42:13
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夜空守望者25楼2014-05-07 22:41:09
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8楼2014-05-09 16:34:16
