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夜空守望者2

金虫 (小有名气)

[求助] 为什么利用Stober法制得的纳米SiO2表面含有大量的硅羟基 已有1人参与

请问各位虫友,为什么利用Stober法制得的纳米SiO2表面含有大量的硅羟基,接枝率怎么通过热重曲线计算,还有类似Stober法这种比较经典的制备核壳结构的SiO2的方法,求指教。文献可以给我链接,谢谢啦
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夜空守望者2

金虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yunhuang at 2014-05-07 18:42:13
个人觉得您的问题问得不对吧?难道你用其他方法制备的氧化硅球在溶液当中表面就没有硅羟基么?
个人认为一般的物质在自然界中表面都会出现一定的氧化层,而在碱性溶液中会在氧化层的表面出现羟基.这个现在不仅在氧化硅 ...

谢谢您的回复,再请教一下,那为什么写分子式的时候只有Si,O而不把氢加上,呵呵~如果把SiO2放到酸性溶液里,硅羟基就没有了吗?在做XPS时,也没发现有H元素啊,您能再详细的说说为什么存在硅羟基吗。谢谢了
3楼2014-05-07 20:17:11
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夜空守望者2

金虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
5楼: Originally posted by yunhuang at 2014-05-07 22:41:09
为了拿到你剩下的那50金币,给你介绍一本中文的书吧。化学工业出版社 纳米分体的分散及表面改性
您应该可以在里面找到相关的答案的。
加油!

太给力了,谢谢您的详细解答,
6楼2014-05-08 18:28:48
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夜空守望者2

金虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
7楼: Originally posted by yunhuang at 2014-05-08 22:05:42
不客气,重金之下必有猛夫嘛!哈哈
加油!...

哥们,你有你说的那本书的电子版吗?有的话发我一份,我的邮箱775832708@qq.com,多谢了
8楼2014-05-09 16:34:16
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