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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 两篇文献引发的血案
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dyhua

金虫 (小有名气)
引用回帖:
9楼: Originally posted by 小小chong at 2014-04-17 20:13:51
傻傻的分不清楚到底是谁比谁，谁大？

求教！
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11楼2014-04-18 08:08:05
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dyhua

金虫 (小有名气)
引用回帖:
10楼: Originally posted by 绍敏郡主 at 2014-04-17 20:35:16
电催化活性跟很多因素有关，是多种因素共同作用的结果。如果只比较D/G比的话，那根据第一篇论文的结论，是不是石墨化最差的无定形碳催化性能最好呢？或者根据第二篇的结论，是不是结晶好的大块石墨催化性能最好呢？ ...

你说的这些我明白，但你认为那篇NANO的文章认为IG/ID比值大了所以性能好了理由是什么呢，我觉得他没说清楚，因为一般认为对于ORR，ID/IG值越大越好，现在作者却相反，我觉得他应该好好说明一下！况且石墨烯和CNF很相近应该来说，可能是我知识还不够，如果我的回答无知了，那我还是好好看书去了。
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好好科研，多学知识，早日毕业！
12楼2014-04-18 08:14:12
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connie3625

木虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
我做过CNF，测过ID/IG，来反应纤维的石墨化程度。但是不做催化，不知道对ORR过程，哪种更好。
但是个人觉得CNF与Graphene结构差别还是很大的，你是不是再多看一些石墨烯催化的，看看一般的说法是什么
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唯有内心足够强大，才能不为他人所动。
13楼2014-04-18 13:33:23
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yymater
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
.
14楼2014-04-18 22:55:41
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dyhua

金虫 (小有名气)
引用回帖:
14楼: Originally posted by yymater at 2014-04-18 22:55:41
你师兄论文用的Id/Ig，当然比值越大缺陷越多
后者论文用的Ig/Id，当然比值越大石墨化程度越好
两篇论文用的比值是倒数关系的，当然趋势是相反的

然后呢 重点是为什么同时说对ORR催化性能好
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15楼2014-04-19 21:27:13
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yymater
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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16楼2014-04-19 22:53:12
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麦客001

金虫 (著名写手)
★
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引用回帖:
16楼: Originally posted by yymater at 2014-04-19 22:53:12
现在做石墨烯催化的文章说法不一，但肯定缺陷只是现象，而不是直接最根源的原因，推荐看看 Liming Dai的文章...

请介绍哪一篇，谢谢！
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17楼2014-04-20 00:58:25
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张俊杰12

木虫 (正式写手)

应助大神
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
我也是做碳材料ORR催化剂的，我最近也很是困惑，到底是缺陷位重要，还是石墨化更重要的。我感觉需要一个平衡点，因为他们的作用是不同的，对于石墨化越高，证明层状结构越明显，所以电子传导率就高，也就是内阻小。而缺陷位是对于氧气或者中间体的吸附能力很强，也是反应的起点，吸附弱的话，也很难发生反应，或者说是有效碰撞。

1：我有个困惑，为什么缺陷位的吸附能力强呢？我在未考虑PH值和双电层效应的情况下，计算得出的结果。可以利用布局分析或者电荷极化来解释吗？正电荷的吸引，从而吸引力变强吗？
2：对于第二篇文献，对于S掺杂，我认为应该在边界位掺杂（原子半径原因），其实也是制造缺陷。由于S和C的电负性相近，有文献解释是自旋极化的原因？我就困惑，自旋极化怎么影响的？对于氮原子S的alpha电子的影响吗？
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本人要像学霸靠拢
18楼2018-07-18 11:27:36
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