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两篇文献引发的血案已有9人参与
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同样是研究ORR（氧还原反应），一个是看我师兄的论文的，其中说到，“D峰主要有CNF表面的端面原子组成，G峰主要有CNF表面基面原子组成，D峰和G峰的面积比值Id/Ig衡量端面原子和基面原子的含量”，然后他将不同改性的CNF的D、G比值即ID/IG进行了比较，比值较大者说明改性了的CNF表面缺陷的数量增加了，因而ORR性能较好。 另一篇是来自ACSNANO的文献，主要研究石墨烯掺硫，然后研究了不同处理温度对掺硫效果的影响，下面是原文中的一段：“As is known, the IG/ID value of a carbon material is an important parameter for evaluating the degree of graphitization. From Supporting Information,Figure S2, it can be seen that the IG/ID values of these S-graphenes（掺硫的石墨烯） increase with increasing annealing temperature（一共考察了3种温度，600，900,1050）. The improved graphitic degree of the S-graphene samples might be caused by reduction effects and “self-repairing” of the graphene layer at high temperatures, and was believed to be one of the factors contributing to the significantly enhanced catalytic activity.”我的理解是：意思是说高温（annealing temperature）可以导致IG/ID 比值增大，从而带来了更好的催化性能。 下面就是疑问：到底ID/IG比值大好还是比值小好？ PS：我是做电化学的，而且算是刚研究时间不长吧，所以还有很多不懂的地方，尤其对碳材料这块还是很不熟悉，测试表征也只是知道点皮毛，对于实质还是不了解，所以如果闹笑话了还请不要笑话我，给我点出来哪里，我会继续学习的！  figure s2.JPG |
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11楼2014-04-18 08:08:05
changle9139
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2楼2014-04-16 16:34:37
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3楼2014-04-16 18:21:20
mark62534
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4楼2014-04-17 08:47:12