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伏忠坤

新虫 (小有名气)

[求助] 对pn结形成原理的质疑 已有2人参与

(以硅材料为例)一般来讲,p硅和n硅在接触前,多子不同,费米能级不同。p硅多子为空穴,n硅多子为电子。P硅费米能级在禁带中靠近价带顶,n硅费米能级在禁带中靠近导带底。Efp=/=Efn(=/= 不等于)。P硅n硅接触后,扩散开始进行,漂移如影随形,内建电场形成,Efp=Efn!
   如果这样解释是正确的,那么:
   假设p硅(长条形)两端分别和n硅(长条形)两端接触,则形成两个具有整流效应pn结。
   现在的问题是;如果其中一对端面先接触,形成pn结,pn两边费米能级拉平,Efp=Efn!
此时将另一端接触,记住,接触时费米能级已经拉平了,即后接触的端面会不会再有扩散和漂移?应该不应该形成pn结?就算后接触的端面因载流子浓差产生扩散,要形成pn结,那么在这一过程中,对已经拉平的费米能级又会产生什么样的影响?亦或是不再影响?我们不可能这样讲“pn结形成过程是否影响Efp和Efn,要看与之相关的回路中,这个结是先接触还是后接触”吧!(自己有解释,尚不敢谈)
   还望本站大神不吝指点!叩首致谢!
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实践是检验真理的唯一标准
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metaliium

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
费米面已经拉平以后,再接触另一端,不会有瞬时电流产生。因为电子的能带结构已经根据第一个pn结两端的电势差调整好了。第二个pn结和第一个完全一样,两端维持同样的电势差。
2楼2014-04-04 02:03:18
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普通回帖

伏忠坤

新虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by metaliium at 2014-04-04 02:03:18
费米面已经拉平以后,再接触另一端,不会有瞬时电流产生。因为电子的能带结构已经根据第一个pn结两端的电势差调整好了。第二个pn结和第一个完全一样,两端维持同样的电势差。

费米能级拉平后,后接触的端面的条件已经变了,Efp=Efn。按现有的知识,Efp=Efn的情况下,不会有扩散,则后接触的端面不应该形成pn结,这怎么可能呢!
实践是检验真理的唯一标准
3楼2014-04-04 10:51:17
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伏忠坤

新虫 (小有名气)

nono2009: 你回复自己的帖子,别人是收不到提醒的? 2014-04-05 08:38:00
引用回帖:
3楼: Originally posted by 伏忠坤 at 2014-04-04 10:51:17
费米能级拉平后,后接触的端面的条件已经变了,Efp=Efn。按现有的知识,Efp=Efn的情况下,不会有扩散,则后接触的端面不应该形成pn结,这怎么可能呢!...

夕阳西下:您好! 第一次费米能级拉平之后,这只是对于界面接触端,而不是对于体块,=====请问这是结论出自哪里,能告诉一下吗?
   如果拉平是对于接触界面,而不是体块,那就是说,体块内到接触面之间的费米能级是不等的,可以这样理解吗?如果仅仅只是接触结面拉平,那么Efp=Efn还有什么意义?
实践是检验真理的唯一标准
4楼2014-04-04 12:25:26
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

@夕阳西下
夕阳版主,楼主指定要跟你讨论,呵呵!
趁年轻,多折腾!曾年轻,折腾过?!
5楼2014-04-05 04:48:47
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metaliium

银虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 伏忠坤 at 2014-04-04 10:51:17
费米能级拉平后,后接触的端面的条件已经变了,Efp=Efn。按现有的知识,Efp=Efn的情况下,不会有扩散,则后接触的端面不应该形成pn结,这怎么可能呢!...

当然后接触的界面应该就不存在能带结构的过渡了,确实不能算是pn结了,好像也没什么奇怪的呀?

另外费米面在块体材料中也必须拉平,不是只存在于界面上;只存在于界面上的是电荷积累和相应的接触势。。。除非存在一层在费米面附近能级上DOS完全为零的材料,才有可能出现费米面不拉平的情况

当然我不承诺我说的都是对的。。。^_^
6楼2014-04-05 08:53:06
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伏忠坤

新虫 (小有名气)

引用回帖:
6楼: Originally posted by metaliium at 2014-04-05 08:53:06
当然后接触的界面应该就不存在能带结构的过渡了,确实不能算是pn结了,好像也没什么奇怪的呀?

另外费米面在块体材料中也必须拉平,不是只存在于界面上;只存在于界面上的是电荷积累和相应的接触势。。。除非存 ...

当然后接触的界面应该就不存在能带结构的过渡了,确实不能算是pn结了,=======如果这么说是正确的,那么制作欧姆接触就省事多了哦。我们怎么想象,p硅(长条形)两端分别和n硅(长条形)两端接触所形成的回路中,一个接触端面有内建电场,一个接触端面没有内建电场?
实践是检验真理的唯一标准
7楼2014-04-05 15:29:17
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伏忠坤

新虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by leongoall at 2014-04-05 04:48:47
夕阳西下
夕阳版主,楼主指定要跟你讨论,呵呵!

leongoall版主勿怪,敬请开示!
实践是检验真理的唯一标准
8楼2014-04-05 15:31:45
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metaliium

银虫 (正式写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by 伏忠坤 at 2014-04-05 15:29:17
当然后接触的界面应该就不存在能带结构的过渡了,确实不能算是pn结了,=======如果这么说是正确的,那么制作欧姆接触就省事多了哦。我们怎么想象,p硅(长条形)两端分别和n硅(长条形)两端接触所形成的回路中,一 ...

第一个pn结已经在两端建立起了电势差,相当于改变了能带结构。因此第二个界面相当于是另外两种材料构成的界面,与第一个界面不同也就不奇怪了。看上去都是同样两种半导体,第一个界面建立时没有外加电势差,而第二个建立时有外加电势差,这就是区别。

因此可以想像,如果两个界面同时建立,这个结果又会不同,确实应该是和顺序有关的。
9楼2014-04-06 02:18:43
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伏忠坤

新虫 (小有名气)

引用回帖:
9楼: Originally posted by metaliium at 2014-04-06 02:18:43
第一个pn结已经在两端建立起了电势差,相当于改变了能带结构。因此第二个界面相当于是另外两种材料构成的界面,与第一个界面不同也就不奇怪了。看上去都是同样两种半导体,第一个界面建立时没有外加电势差,而第二 ...

metaliium
您好,按您的说法,您是否相信,帖子里说的这个回路中,一个结有整流效应,另一个结是直通?
实践是检验真理的唯一标准
10楼2014-04-06 08:26:21
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