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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 基础物理 » 对pn结形成原理的质疑
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metaliium

银虫 (正式写手)
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10楼: Originally posted by 伏忠坤 at 2014-04-06 08:26:21
metaliium
您好，按您的说法，您是否相信，帖子里说的这个回路中，一个结有整流效应，另一个结是直通？...

恩我目前就是这么想的
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11楼2014-04-06 09:31:13
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伏忠坤

新虫 (小有名气)
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11楼: Originally posted by metaliium at 2014-04-06 09:31:13
恩我目前就是这么想的...

如果您相信与接触顺序相关，那么，就算是先接触的那个端面，也可能存在先后，即端面接触时，也有局部先后，同样会导致先接触的局部形成pn结，后接触的局部是直通，那可就有点滑稽了！故pn结形成原理与先后接触理应无关！
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实践是检验真理的唯一标准
12楼2014-04-06 09:58:14
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metaliium

银虫 (正式写手)
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12楼: Originally posted by 伏忠坤 at 2014-04-06 09:58:14
如果您相信与接触顺序相关，那么，就算是先接触的那个端面，也可能存在先后，即端面接触时，也有局部先后，同样会导致先接触的局部形成pn结，后接触的局部是直通，那可就有点滑稽了！故pn结形成原理与先后接触理应 ...

你说的没错。教科书上画的pn结的band bending diagram是理想状况下的图像。如果是实际两个材料表面接触，肯定会有先后，在不同接触点上电荷积累不会完全一样。当然要局部直通那条件就极端了一点，但存在某种随机的分布我觉得完全是可能的。但不管这个界面上有多不均匀，最后总的效果是对所有每个接触点平均的结果，总的来说一个pn结的效果必须实现，也就是建立起正好的电势分布拉平两端费米面。

你这个问题里，因为第一个界面已经完全实现了一个pn结的功能，第二个就完全多余了，自然就只能直通了。

当然了真实的pn结并不是直接拿两个p和n型掺杂的半导体接触在一起，这个牛角尖我就先不钻了。。。^_^
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13楼2014-04-06 11:57:31
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伏忠坤

新虫 (小有名气)
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13楼: Originally posted by metaliium at 2014-04-06 11:57:31
你说的没错。教科书上画的pn结的band bending diagram是理想状况下的图像。如果是实际两个材料表面接触，肯定会有先后，在不同接触点上电荷积累不会完全一样。当然要局部直通那条件就极端了一点，但存在某种随机的 ...

我写的题目是----对pn结形成原理的质疑。是针对原理的！是针对我们对pn结形成机理的解释！如果原理是正确的，不管我们怎么运用，也不应该矛盾！如果这一质疑的确让目前的pn结形成原理尴尬，那么还真有必要较真！
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实践是检验真理的唯一标准
14楼2014-04-06 12:25:49
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metaliium

银虫 (正式写手)
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14楼: Originally posted by 伏忠坤 at 2014-04-06 12:25:49
我写的题目是----对pn结形成原理的质疑。是针对原理的！是针对我们对pn结形成机理的解释！如果原理是正确的，不管我们怎么运用，也不应该矛盾！如果这一质疑的确让目前的pn结形成原理尴尬，那么还真有必要较真！...

我不觉得有矛盾的地方。。。我觉得界面上存在电荷积累不均匀是很正常的事情——而它最极端的例子就是有地方直通有地方形成pn结（当然正常情况下是不会发生的）。。。

如果你想质疑原理，完全没问题，但是质疑理论的唯一办法只有做实验做出矛盾的结果。
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15楼2014-04-06 12:45:30
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伏忠坤

新虫 (小有名气)
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15楼: Originally posted by metaliium at 2014-04-06 12:45:30
我不觉得有矛盾的地方。。。我觉得界面上存在电荷积累不均匀是很正常的事情——而它最极端的例子就是有地方直通有地方形成pn结（当然正常情况下是不会发生的）。。。

如果你想质疑原理，完全没问题，但是质疑理 ...

对，质疑理论的唯一办法只有做实验！之所以在这里谈，是因为虽竭尽全力，历时五年，但实质性的制作还未达成！心里郁闷的紧。希望在这里能得到大神的指点，要真是低级错误，就收手罢。
   事实上，我们就算要在硅片上制作这么一个回路，第六感是两个结都应该是有整流效应的结。而不是一个结有整流效应，一个结没有！所以自以为是矛盾！
   身处社会底层，实验之路，难于古蜀道！！！
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实践是检验真理的唯一标准
16楼2014-04-06 13:06:41
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metaliium

银虫 (正式写手)
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16楼: Originally posted by 伏忠坤 at 2014-04-06 13:06:41
对，质疑理论的唯一办法只有做实验！之所以在这里谈，是因为虽竭尽全力，历时五年，但实质性的制作还未达成！心里郁闷的紧。希望在这里能得到大神的指点，要真是低级错误，就收手罢。
   事实上，我们就算要在硅片 ...

那你多努力努力。。。

反正我的理解是第二个结是没有的，我自信是对的，理由也给了，你愿意的话可以多琢磨琢磨。。。

确实物理理解这个东西，听别人说是没用的，还是要靠自己理解以后才知道别人说的有没有道理
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17楼2014-04-06 13:20:56
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伏忠坤

新虫 (小有名气)
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17楼: Originally posted by metaliium at 2014-04-06 13:20:56
那你多努力努力。。。

反正我的理解是第二个结是没有的，我自信是对的，理由也给了，你愿意的话可以多琢磨琢磨。。。

确实物理理解这个东西，听别人说是没用的，还是要靠自己理解以后才知道别人说的有没有道 ...

非常感谢您的参与
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实践是检验真理的唯一标准
18楼2014-04-06 13:34:25
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好奇小翟

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

Efp与Efn是在扩散区逐渐拉平的，而扩散区相对与半导体的长度是很小的（在建立pn结模型时是有许多假设的）。所以在两端的pn结情况是一样的。

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自强不息，厚德载物
19楼2014-04-08 10:56:58
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好奇小翟

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
10楼: Originally posted by 伏忠坤 at 2014-04-06 08:26:21
metaliium
您好，按您的说法，您是否相信，帖子里说的这个回路中，一个结有整流效应，另一个结是直通？...

如果你所谓的p型半导体长度足够短，短到长度小于两个电子扩散长度，当然就会有穿通的可能。当然，这还得看你的参杂浓度。

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自强不息，厚德载物
20楼2014-04-08 11:00:50
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