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对pn结形成原理的质疑 已有2人参与
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（以硅材料为例）一般来讲，p硅和n硅在接触前，多子不同，费米能级不同。p硅多子为空穴，n硅多子为电子。P硅费米能级在禁带中靠近价带顶，n硅费米能级在禁带中靠近导带底。Efp=/=Efn（=/= 不等于）。P硅n硅接触后，扩散开始进行，漂移如影随形，内建电场形成，Efp=Efn！ 如果这样解释是正确的，那么： 假设p硅（长条形）两端分别和n硅（长条形）两端接触，则形成两个具有整流效应pn结。 现在的问题是;如果其中一对端面先接触，形成pn结，pn两边费米能级拉平，Efp=Efn！ 此时将另一端接触，记住，接触时费米能级已经拉平了，即后接触的端面会不会再有扩散和漂移？应该不应该形成pn结？就算后接触的端面因载流子浓差产生扩散，要形成pn结，那么在这一过程中，对已经拉平的费米能级又会产生什么样的影响？亦或是不再影响？我们不可能这样讲“pn结形成过程是否影响Efp和Efn，要看与之相关的回路中，这个结是先接触还是后接触”吧！（自己有解释，尚不敢谈） 还望本站大神不吝指点！叩首致谢！ |
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metaliium
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你说的没错。教科书上画的pn结的band bending diagram是理想状况下的图像。如果是实际两个材料表面接触，肯定会有先后，在不同接触点上电荷积累不会完全一样。当然要局部直通那条件就极端了一点，但存在某种随机的分布我觉得完全是可能的。但不管这个界面上有多不均匀，最后总的效果是对所有每个接触点平均的结果，总的来说一个pn结的效果必须实现，也就是建立起正好的电势分布拉平两端费米面。 你这个问题里，因为第一个界面已经完全实现了一个pn结的功能，第二个就完全多余了，自然就只能直通了。 当然了真实的pn结并不是直接拿两个p和n型掺杂的半导体接触在一起，这个牛角尖我就先不钻了。。。^_^ |
13楼2014-04-06 11:57:31
metaliium
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