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youngjay9999

银虫 (小有名气)

[求助] 请教下着两张CV图和EIS图能说明材料表面产生了SEI膜吗? 已有1人参与

各位电化学大神好,小硕求教,这是个负极材料。CV测的是前3圈的循环伏安图,EIS测的是充放电0,1,5,10,50圈的交流阻抗。我主要是想说明材料的表面生成的SEI膜。
CV:在2-2.2V左右是材料的氧化还原峰,那么在0.5-0.7V左右的对称峰还是在接近0V的氧化峰是SEI膜的峰?另外还可以看到,0.5-0.7V的峰强是和材料的2-2.2V的峰强是一致的,即随着扫描的增加峰强减弱。而 0V左右的峰是随着扫描的增加峰强是增加的。
EIS:这是在充电时测的阻抗,新电池阻抗较小,但是充放电后阻抗急剧增加,这是SEI膜的生成导致的嘛?
不胜感激。

请教下着两张CV图和EIS图能说明材料表面产生了SEI膜吗?
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请教下着两张CV图和EIS图能说明材料表面产生了SEI膜吗?-1
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youngjay9999

银虫 (小有名气)

这帖子就沉了?接近0V的不可逆杂峰是SEI膜不?求指导啊!
4楼2014-03-29 21:06:27
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xushoudong

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
从CV图中基本上看不到什么SEI膜的成膜峰,通常电解液分解在颗粒表面生成SEI膜的电位区间在1.2-0.5V间,当然添加添加剂后的电解液有可能不一致。而SEI膜的生成时不可逆的,也就是说在第一周存在,你这个CV如果你觉得在0.7-0.5 V的很小的电流峰是SEI膜生成,那么第二周和第三周也存在,即使有SEI膜也不稳定,起不到任何作用。 另外EIS的基本作图是要把横纵坐标刻度一致,你的阻抗值变大只能说明你的材料的性能变差,电荷传输困难,EIS中也观察不到SEI膜成膜过程,因为SEI膜的阻值不可能有那么大。  综上,从你的实验结果看不出来SEI膜的生成,如果楼主想证实,不妨试一试FTIR并结合循环后XRD分析,找两篇文献看看。    以上是我个人观点,当然不一定完全对,楼主选择性采纳!
2楼2014-03-28 17:35:47
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youngjay9999

银虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by xushoudong at 2014-03-28 17:35:47
从CV图中基本上看不到什么SEI膜的成膜峰,通常电解液分解在颗粒表面生成SEI膜的电位区间在1.2-0.5V间,当然添加添加剂后的电解液有可能不一致。而SEI膜的生成时不可逆的,也就是说在第一周存在,你这个CV如果你觉得 ...

非常感谢你的回答。0.5-0.7V的峰是可逆的,也就是说这个峰不可能是SEI膜咯?那么接近0V的不可逆的峰是什么峰呢?可不可能是SEI膜?
另外,对于阻抗值变大您归结于材料的性能变差,但是,如果是性能变差,至少EIS是有区别的吧?从EIS上来看,基本上循环1圈后,阻抗值就稳定了。再说,材料的循环性还是可以的,100圈后容量剩余95%。基本上只在前10圈衰减,之后几乎没有衰减。还有您说的SEI膜的阻抗值不可能那么大,那么SEI膜的阻抗一般是多大的呢?
您最后说的拆电池再进行物理表征的确是好想法。
3楼2014-03-28 19:25:33
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xushoudong

木虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by youngjay9999 at 2014-03-28 19:25:33
非常感谢你的回答。0.5-0.7V的峰是可逆的,也就是说这个峰不可能是SEI膜咯?那么接近0V的不可逆的峰是什么峰呢?可不可能是SEI膜?
另外,对于阻抗值变大您归结于材料的性能变差,但是,如果是性能变差,至少EIS是 ...

0V 左右不可逆的峰有可能是你材料发生相变了,具体要看你是什么材料。
回答那么多,连个金币都不给...
5楼2014-03-31 08:25:01
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