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有关氧化石墨烯拉曼的一点疑问,希望和大家交流 已有1人参与
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问题1 D带和缺陷和六圆环的关系 文献很多写到D是缺陷由来,增大全是因为缺陷增多。 我觉得这种说法是有问题的。 搞GO的小伙伴们应该都知道GO的D和G都很宽。而且D和G的左右半高宽是不想等的。 这种现象说明D和G不是单纯的一个峰。 我同意GO的D是diamond-like carbon sp3的峰(1330)和本征D的混合,G是G和D'的混合。 后者的证明比较明显,rGO的G有明显的红移。 问题在D。我认为D既可能是缺陷增多引发的,也有可能是六圆环恢复引发的。 D的本质源于Graphene布里渊区K点的六圆环breathing mode,同时需要缺陷来满足selection rule, 也就是说在GO这种级别的sp3 sp2混合状态下,六圆环增多或者缺陷增多同样都能增强D? 问题2 同样的问题也牵扯到2D 有文献表示用2D/G增大来表征六圆环的恢复。 因为2D的强度受到六圆环的共鸣作用很强,所以六圆环的恢复能明显增强2D。 但有文献认为2D减少表明还原程度高。 我支持前者的意见。 有没有Graphene Raman的高手,大家讨论下。 |
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haobkl
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