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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 衬底为闪烁体+ITO，用ICP刻蚀300nm氮化硅，深宽比略大于1
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chemney

新虫 (初入文坛)

[求助] 衬底为闪烁体+ITO，用ICP刻蚀300nm氮化硅，深宽比略大于1 已有1人参与

闪烁体上添加ITO做导电层，ITO上蒸镀300-400nm的氮化硅，需要在氮化硅上做空心圆柱阵列，周期为300nm，圆柱直径为180nm，请问各位前辈，若用ICP刻蚀的话，这样的深宽比可否可以实现？国内有哪个机构可以做？EBL应该选用哪种光刻胶比较合适？厚度如何？
是否需要采用硬掩模的方法，就是在氮化硅上添加一层Cr？如果采用硬掩模的方法，哪里可以做呢？
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1楼 2014-03-18 21:00:04
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chemney

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by exciting73 at 2014-05-06 20:58:27
有接近1:1的。EBL能量密度是多少...

我们的EBL最高电压是50kV，无法曝光300-400nm这么厚的胶。
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5楼2014-05-07 19:08:08
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exciting73

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
chemney: 金币+5, ★有帮助 2014-05-07 19:08:36
这个深宽比应该可以实现的。最主要是光刻胶掩膜制作，物理所、清华等地应该都可以做这个。
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2楼2014-05-06 14:30:37
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chemney

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by exciting73 at 2014-05-06 14:30:37
这个深宽比应该可以实现的。最主要是光刻胶掩膜制作，物理所、清华等地应该都可以做这个。

光刻胶直接做掩膜的话，PMMA胶需要也达到300-400nm厚甚至更高，这样给EBL曝光带来一定难度，请问是否有与氮化硅刻蚀比大于1：1的光刻胶呢？
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3楼2014-05-06 20:43:47
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exciting73

金虫 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by chemney at 2014-05-06 20:43:47
光刻胶直接做掩膜的话，PMMA胶需要也达到300-400nm厚甚至更高，这样给EBL曝光带来一定难度，请问是否有与氮化硅刻蚀比大于1：1的光刻胶呢？...

有接近1:1的。EBL能量密度是多少
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4楼2014-05-06 20:58:27
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