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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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chemney

新虫 (初入文坛)

[求助] 衬底为闪烁体+ITO,用ICP刻蚀300nm氮化硅,深宽比略大于1 已有1人参与

闪烁体上添加ITO做导电层,ITO上蒸镀300-400nm的氮化硅,需要在氮化硅上做空心圆柱阵列,周期为300nm,圆柱直径为180nm,请问各位前辈,若用ICP刻蚀的话,这样的深宽比可否可以实现?国内有哪个机构可以做?EBL应该选用哪种光刻胶比较合适?厚度如何?
是否需要采用硬掩模的方法,就是在氮化硅上添加一层Cr?如果采用硬掩模的方法,哪里可以做呢?
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chemney

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by exciting73 at 2014-05-06 14:30:37
这个深宽比应该可以实现的。最主要是光刻胶掩膜制作,物理所、清华等地应该都可以做这个。

光刻胶直接做掩膜的话,PMMA胶需要也达到300-400nm厚甚至更高,这样给EBL曝光带来一定难度,请问是否有与氮化硅刻蚀比大于1:1的光刻胶呢?
3楼2014-05-06 20:43:47
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exciting73

金虫 (著名写手)


【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
chemney: 金币+5, 有帮助 2014-05-07 19:08:36
这个深宽比应该可以实现的。最主要是光刻胶掩膜制作,物理所、清华等地应该都可以做这个。
2楼2014-05-06 14:30:37
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exciting73

金虫 (著名写手)


引用回帖:
3楼: Originally posted by chemney at 2014-05-06 20:43:47
光刻胶直接做掩膜的话,PMMA胶需要也达到300-400nm厚甚至更高,这样给EBL曝光带来一定难度,请问是否有与氮化硅刻蚀比大于1:1的光刻胶呢?...

有接近1:1的。EBL能量密度是多少
4楼2014-05-06 20:58:27
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chemney

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by exciting73 at 2014-05-06 20:58:27
有接近1:1的。EBL能量密度是多少...

我们的EBL最高电压是50kV,无法曝光300-400nm这么厚的胶。
5楼2014-05-07 19:08:08
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