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衬底为闪烁体+ITO，用ICP刻蚀300nm氮化硅，深宽比略大于1 已有1人参与
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闪烁体上添加ITO做导电层，ITO上蒸镀300-400nm的氮化硅，需要在氮化硅上做空心圆柱阵列，周期为300nm，圆柱直径为180nm，请问各位前辈，若用ICP刻蚀的话，这样的深宽比可否可以实现？国内有哪个机构可以做？EBL应该选用哪种光刻胶比较合适？厚度如何？ 是否需要采用硬掩模的方法，就是在氮化硅上添加一层Cr？如果采用硬掩模的方法，哪里可以做呢？ |
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