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本人新手，学习VASP，主要是利用小木虫来学习，发现资料很多，良莠不齐，确实很伤神。 在此，写下自己的经验，与教训。只有大致流程，具体可以搜索论坛。 【注意】 vasp计算很多关键词，建议一定要以官方说明书为参考。而且是对应版本的参考教程。vasp不断在更新完善，所以很有必要将所学教程与所用计算的版本统一。 比如 计算用的势能文件是否支持。 我是采用的VASP5.12说明问题, 本人化学专业，非物理，这个不足，不准确的地方还望批评指正！ VASP 所需文件 INCAR 总调度，各项参数的设定 POTCAR 势能的选择。 目测现在PBE是最流行的，当然也会涉及到是否含GW，是否含P层，s层电子（这个我不清楚，也不懂，不深究，最简单方法就是查询相关体系，别人用啥，我用啥） KPOINTS 感觉就是周期性的设置，你考虑多大范围，当然越多，越大，就越好 POSCAR 这个应该就是分子坐标（也许是晶胞）文件 2. 在计算的时候，一般都是先对参数优化，在做精确计算和分析 在参数优化的时候，一般来说，有： A。 晶体常数 B。INCAR 中的ISMEAR，SIGMA, ENCUT, K 点数目 A 的优化 这个有教程， http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3234667 说明一点，我在优化是设置了 LWAVE = .FALSE.和 LCHARG = .FALSE. 因为没有用。 其他参数的选择，因为后续会再优化，所以不要太离谱就行。 I. ISMEAR 的选择，官网有建议 For semiconductors or insulators use the tetrahedron method (ISMEAR=-5） Avoid to use ISMEAR >0 for semiconductors and insulators http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp ... _SMEARINGS_tag.html ENCUT 建议看看POTCAR 你们ENMAX 最大是多少，15%-20% 扩大一点就行，太小，不准，太大，太贵！ K 点的话 看你的体系大小，7 7 7 我的最爱，至于G还是M，涉及到布里渊中心位置，我不懂，貌似奇数比较靠谱。偶数要平移一下。 至于脚本，批处理，这个是简单linux 知识。 完成后，就对能量做图，是个双曲线，找到最低。就知其CONSCAR 为新的POSCAR。 B 的优化，最主要就是有ENCUT， SIGMA， KPOINT， 类似A中的优化，能量变化小到（1meV）你认为可以了就行。但不是所有都能达到这个标准。论坛有很多帖子介绍，可以看看。 3. band 计算 A。 计算前用最优的参数，进行SCF计算。 B。 然后拷贝CHGCAR 到新文件夹中，设置ISTART=1，NBANDS （增大，曾多少，我一般2-3倍，因为光线性质计算也需要这么多的）。 ICHARG=11 ， 再就是设计KPONITS 文件，走一个流程，主要是布里渊区的高对称点。 http://www.cryst.ehu.es/cgi-bin/cryst/programs/nph-table 这个里面有对应的点群。 进行计算，数据处理，搜索论坛，我也没搞明白 4. dos 计算 A。 同样的最优参数的SCF计算。也可以直接拷贝3中的CHGCAR。 B。 dos计算，增大k点，原因：http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp ... e_calculations.html 设置ISTART=1， ICHARG=11 5. 进行光学性质计算 http://cms.mpi.univie.ac.at/wiki ... c_properties_of_SiC 需要3 中的WAVECAR。 增大的NBANDS 因为： Reasonable results are usually only obtained, if the parameter NBANDS is roughly doubled or tripled in the INCAR file with respect to the VASP default. http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp ... lectric_matrix.html 数据处理，还不会。 最主要就是流程。 |
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