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关于MCM-41型介孔二氧化硅的巯基化问题
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最近要做巯基化修饰的MCM-41型介孔二氧化硅纳米粒，有的文献采用共缩合法直接将巯丙基三甲氧基硅烷与硅源TEOS一起加入合成介孔硅，也有文献对已经合成的未除CTAB模板的介孔硅进行巯丙基三甲氧基硅烷后修饰，尚未找到对已经合成的除去CTAB模板的介孔硅进行巯丙基三甲氧基硅烷后修饰的相关文献。 请问，这几种方法的优缺点有哪些？对后边的载药释药（盐酸阿霉素DOX·HCl）有哪些影响。 另外，修饰完成后，我想通过巯基化修饰的另一种材料与介孔硅表面的巯基交联生成二硫键以使材料堵住介孔，上述几种巯基化修饰的方法对我后面方案的实施会有哪些影响，哪种方法会更好呢？ 同时想寻求更多关于巯基化修饰介孔二氧化硅的相关文献。希望大家能给予指导。 |
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