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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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贺慧芳

新虫 (初入文坛)


[交流] 在SEM下做背散射,观察晶粒大小

请教各位大神, 本人想在SEM下做背散射观察晶粒的大小。对于样品的制备,有人建议我抛光。我想请教的是怎么对样品进行抛光?一面抛光还是两面都抛光?样品的厚度要不要求很均匀? 由于本人几乎没做过电镜,所以没有经验。还望各位大神多多指教。谢谢。

[ Last edited by 贺慧芳 on 2014-2-20 at 12:23 ]
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xueaitang

木虫 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
我想问一下,你做的是什么合金?最后看到晶粒的大小了吗?
8楼2015-12-03 12:14:10
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贺慧芳(金币+1): 谢谢参与
晶粒大小。。不知道你希望的尺寸是多大,太小的话背散射下分辨率估计达不到,抛光两面没有意义吧,你看到的只有一面,厚度这个均匀性应该要求不是非常高,不过建议你先做一次试试,摸摸条件再说,一次成功可能性很小的
2楼2014-02-20 20:14:12
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贺慧芳

新虫 (初入文坛)


引用回帖:
2楼: Originally posted by gxytju2008 at 2014-02-20 20:14:12
晶粒大小。。不知道你希望的尺寸是多大,太小的话背散射下分辨率估计达不到,抛光两面没有意义吧,你看到的只有一面,厚度这个均匀性应该要求不是非常高,不过建议你先做一次试试,摸摸条件再说,一次成功可能性很小 ...

好的,非常感谢~~
4楼2014-02-22 10:42:34
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糖虎

新虫 (初入文坛)


★ ★ ★
贺慧芳(金币+1): 谢谢参与
贺慧芳: 金币+2, 太感谢了 2014-02-24 12:53:46
你好,如果你只是观察晶粒尺寸用背散射的意义不大,直接用二次电子就可以了,二次电子的分辨率比背散射高,且二次电子成像对样品要求要相对低一些,不管哪一个都只需要抛光一个面就可以,背散射对扩散和第二相观察效果很好!但是需要尽可能的去除表面的加工应力。二次电子成像的只是需要抛光,在把晶界腐蚀出来就可以了!材料的断口也可以观察晶粒尺寸!SEM只能够观察到微小区域的晶粒尺寸,应该做一个XRD计算宏观的平均晶粒尺寸,这样数据可信度高
5楼2014-02-23 15:12:34
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