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贺慧芳

新虫 (初入文坛)

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[交流] 在SEM下做背散射，观察晶粒大小

请教各位大神，本人想在SEM下做背散射观察晶粒的大小。对于样品的制备，有人建议我抛光。我想请教的是怎么对样品进行抛光？一面抛光还是两面都抛光？样品的厚度要不要求很均匀？由于本人几乎没做过电镜，所以没有经验。还望各位大神多多指教。谢谢。

[ Last edited by 贺慧芳 on 2014-2-20 at 12:23 ]

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1楼 2014-02-20 12:19:20

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糖虎

新虫 (初入文坛)

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★ ★ ★
贺慧芳(金币+1): 谢谢参与
贺慧芳: 金币+2, 太感谢了 2014-02-24 12:53:46

你好，如果你只是观察晶粒尺寸用背散射的意义不大，直接用二次电子就可以了，二次电子的分辨率比背散射高，且二次电子成像对样品要求要相对低一些，不管哪一个都只需要抛光一个面就可以，背散射对扩散和第二相观察效果很好！但是需要尽可能的去除表面的加工应力。二次电子成像的只是需要抛光，在把晶界腐蚀出来就可以了！材料的断口也可以观察晶粒尺寸！SEM只能够观察到微小区域的晶粒尺寸，应该做一个XRD计算宏观的平均晶粒尺寸，这样数据可信度高

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