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JSFfighter新虫 (初入文坛)
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求助一个关于薄膜晶体管测试的问题
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下边的图是测的一个双栅TFT的输出特性，栅极电压从-20（绿色）到20v（蓝色），间隔5v，曲线有这么几个问题： 1，几条曲线变化不大，在暗室条件下测的也有这个问题，测不到夹断区； 2，这个片子是n型器件，但是曲线上栅压增大时，沟道电流在减小，这个和理论情况不符； 3，曲线看不到饱和区，这里因为漏极电压最高只能加到20V，大于20V时，仪器报错，所以不知道再高的漏极电压会不会出现饱和区。 这个器件大概放了有三四年了，想拿来测测了解一下TFT的工作特性。这个图还算比较好的，有的器件栅极电压对源漏电流根本没什么影响，Vg从-10V到10V曲线都基本一样，从而且传输特性是线性的，就一条直线。 请问虫友们出现这种情况是什么原因？ |
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