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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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lvweiqiang111

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[交流] 【求助】CASTEP结果分析的几个问题

1.电子密度isosurface图代表什么含义?是不是说在这个面上电子密度相等,从中能得到什么信息?
2.电子密度slice图中数值是体系电子密度的绝对值或只是相对大小?在作图时是不是可以随便调解数值范围以使所做图变得清晰漂亮?如何分析电子密度slice图?
3.在计算得到半导体为直接带隙,价带顶到导带底均在G点,带隙为0.02eV(实验值为0.56eV),不知道结果是否合理(文献中有人用LDA计算值为0.2eV,但不知道我的结果为何比他还差).另外,在DOS中为何费米能级会穿过态密度非零区,DOS中如何能看出带隙?在分析DOS时有两种积分(Integration method),一种为Smearing,积出的DOS很平滑,一种为Interpolation,峰比较尖锐,不知哪种在分析问题时更好或更常用?附件中三张DOS图为同一次计算,采用不同方法:Smearing(默认0.2) ,Smearing(0.02),Interpolation(fine)
4。在分析光学性质时,我用剪刀算符校正,smearing设为0.1,最终得到折射率为3.7(实验值约为3.5~3.6),smearing越小出现的峰越多,是不是就像分辨率越来越高?
在光学性质分析时选择Polarize(应该翻译为偏振吧?),Polarization是不是指的是光电场的偏振方向,比如对四方晶选择001,就是E垂直于光轴,按理应该是o光,100方向则为e光,不知我的理解对不对?

[ Last edited by lvweiqiang111 on 2008-1-11 at 20:54 ]
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lvweiqiang111

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引用回帖:
Originally posted by csfn at 2008-1-9 13:18:
关于你的1,2的问题我都没具体做过分析。不过我想电荷密度反应的主要是电子得失,成键性质~应该只能是一个定性的分析
3,你的带隙看起来是不大理想的,考虑换换参数计算一下。dos看带隙,除非你的展宽参数设置很 ...

我计算的晶体为CdGeAs2,黄铜矿结构,四方晶系。计算主要参数设置如下:usp赝势,cutoff:320eV(结构优化已测试过,可收敛至最低能量),scf:1.0e-6,k点:5x5x6,LDA(GGA试过,效果不明显),空带数:12,分析时smearing width为0.2eV,其他均为默认值。
     请问还可以在那些方面改进,K点已经是可选最大,是不是还需手动进一步测试呀?你说的展宽参数如何设,是不是就是分析时可选的smearing width,设多大才合适呢?

[ Last edited by lvweiqiang111 on 2008-1-9 at 15:13 ]
4楼2008-01-09 15:11:20
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csfn

荣誉版主 (知名作家)

优秀超版优秀版主优秀区长

★ ★ ★ ★
lvweiqiang111(金币+3,VIP+0):谢谢版主非常快速的回答!如果能在参数设置方面给点建议那就更不胜感激了!
lvweiqiang111(金币+1,VIP+0):谢谢你的回答!
关于你的1,2的问题我都没具体做过分析。不过我想电荷密度反应的主要是电子得失,成键性质~应该只能是一个定性的分析
3,你的带隙看起来是不大理想的,考虑换换参数计算一下。dos看带隙,除非你的展宽参数设置很低,否则是不能反应准确带隙值。一般来说,你的展宽参数(ismearing)默认不会很低,所以也就不要用它来看带隙呢。
4,没接触过此类问题~
没看你的图,虽然俺下载不要金币,但要时间,所以建议画个图直接贴在这里(图以附件上传可以显示出来)
2楼2008-01-09 13:18:45
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totem

金虫 (正式写手)


lvweiqiang111(金币+1,VIP+0):谢谢你的回答!
1.反应电子分布情况
2.可以调整范围。
3.DFT计算带隙存在缺陷,可考虑其他近似,比如sXLDA等等
4.你设置的k点密度如何?参数精度怎么样?这些都会有很大影响
3楼2008-01-09 14:18:37
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lvweiqiang111

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引用回帖:
Originally posted by totem at 2008-1-9 14:18:
1.反应电子分布情况
2.可以调整范围。
3.DFT计算带隙存在缺陷,可考虑其他近似,比如sXLDA等等
4.你设置的k点密度如何?参数精度怎么样?这些都会有很大影响

sXLDA是什么意思,是不是可以提高计算精度,它适合于什么体系呢?
5楼2008-01-09 15:15:22
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