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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 【求助】CASTEP结果分析的几个问题
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lvweiqiang111

捐助贵宾 (小有名气)

[交流] 【求助】CASTEP结果分析的几个问题

1.电子密度isosurface图代表什么含义？是不是说在这个面上电子密度相等，从中能得到什么信息？
2.电子密度slice图中数值是体系电子密度的绝对值或只是相对大小？在作图时是不是可以随便调解数值范围以使所做图变得清晰漂亮？如何分析电子密度slice图？
3.在计算得到半导体为直接带隙，价带顶到导带底均在G点，带隙为0.02eV（实验值为0.56eV）,不知道结果是否合理(文献中有人用LDA计算值为0.2eV，但不知道我的结果为何比他还差).另外，在DOS中为何费米能级会穿过态密度非零区，DOS中如何能看出带隙？在分析DOS时有两种积分（Integration method），一种为Smearing，积出的DOS很平滑，一种为Interpolation，峰比较尖锐，不知哪种在分析问题时更好或更常用？附件中三张DOS图为同一次计算，采用不同方法：Smearing（默认0.2) ,Smearing（0.02)，Interpolation（fine）
4。在分析光学性质时，我用剪刀算符校正，smearing设为0.1，最终得到折射率为3.7（实验值约为3.5~3.6），smearing越小出现的峰越多，是不是就像分辨率越来越高？
在光学性质分析时选择Polarize（应该翻译为偏振吧？），Polarization是不是指的是光电场的偏振方向，比如对四方晶选择001，就是E垂直于光轴，按理应该是o光，100方向则为e光，不知我的理解对不对？

[ Last edited by lvweiqiang111 on 2008-1-11 at 20:54 ]
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1楼2008-01-09 12:22:18
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csfn

荣誉版主 (知名作家)

优秀超版优秀版主优秀区长
★ ★ ★ ★
lvweiqiang111(金币+3,VIP+0):谢谢版主非常快速的回答！如果能在参数设置方面给点建议那就更不胜感激了！
lvweiqiang111(金币+1,VIP+0):谢谢你的回答！
关于你的1，2的问题我都没具体做过分析。不过我想电荷密度反应的主要是电子得失，成键性质~应该只能是一个定性的分析
3，你的带隙看起来是不大理想的，考虑换换参数计算一下。dos看带隙，除非你的展宽参数设置很低，否则是不能反应准确带隙值。一般来说，你的展宽参数（ismearing）默认不会很低，所以也就不要用它来看带隙呢。
4，没接触过此类问题~
没看你的图，虽然俺下载不要金币，但要时间，所以建议画个图直接贴在这里（图以附件上传可以显示出来）
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2楼2008-01-09 13:18:45
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totem

金虫 (正式写手)
★
lvweiqiang111(金币+1,VIP+0):谢谢你的回答！
1.反应电子分布情况
2.可以调整范围。
3.DFT计算带隙存在缺陷，可考虑其他近似，比如sXLDA等等
4.你设置的k点密度如何？参数精度怎么样？这些都会有很大影响
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3楼2008-01-09 14:18:37
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lvweiqiang111

捐助贵宾 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by csfn at 2008-1-9 13:18:
关于你的1，2的问题我都没具体做过分析。不过我想电荷密度反应的主要是电子得失，成键性质~应该只能是一个定性的分析
3，你的带隙看起来是不大理想的，考虑换换参数计算一下。dos看带隙，除非你的展宽参数设置很 ...

我计算的晶体为CdGeAs2，黄铜矿结构，四方晶系。计算主要参数设置如下：usp赝势，cutoff:320eV(结构优化已测试过，可收敛至最低能量），scf:1.0e-6，k点：5x5x6，LDA（GGA试过，效果不明显），空带数：12，分析时smearing width为0.2eV,其他均为默认值。
     请问还可以在那些方面改进，K点已经是可选最大，是不是还需手动进一步测试呀？你说的展宽参数如何设，是不是就是分析时可选的smearing width，设多大才合适呢？

[ Last edited by lvweiqiang111 on 2008-1-9 at 15:13 ]
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4楼2008-01-09 15:11:20
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lvweiqiang111

捐助贵宾 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by totem at 2008-1-9 14:18:
1.反应电子分布情况
2.可以调整范围。
3.DFT计算带隙存在缺陷，可考虑其他近似，比如sXLDA等等
4.你设置的k点密度如何？参数精度怎么样？这些都会有很大影响

sXLDA是什么意思，是不是可以提高计算精度，它适合于什么体系呢？
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5楼2008-01-09 15:15:22
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lvweiqiang111

捐助贵宾 (小有名气)

分析DOS时积分方法和展宽如何选

在分析DOS时需要选择记分方法和展宽，不知道如何选，我试了一下，不同的积分方法图形变化很大，帮助文件中说内插法Interpolation比Smearing好。
对Smearing是不是展宽越小越好?一般设多少好？

[ Last edited by lvweiqiang111 on 2008-1-9 at 20:19 ]
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6楼2008-01-09 15:15:33
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sars518

木虫 (著名写手)

小木虫灌水大队队长
我也遇到类似问题，不知有没高手回答下，先谢谢了
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人生是一场旅行，在欣赏风景的同时，别忘了你也是别人的风景。
7楼2008-04-11 11:21:04
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hopingzmn

金虫 (知名作家)
支持一下，盼望有经验的高手指点
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淡定
8楼2008-04-11 11:49:09
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chyb0422

金虫 (正式写手)
★ ★ ★
lvweiqiang111(金币+3,VIP+0):谢谢你的回答！原始群没有改变，k点路径按默认值，好像算体相无所谓吧！原胞和单胞路径不太一样，但不知道是怎么对应的！
引用回帖:
Originally posted by lvweiqiang111 at 2008-1-9 15:11:

     我计算的晶体为CdGeAs2，黄铜矿结构，四方晶系。计算主要参数设置如下：usp赝势，cutoff:320eV(结构优化已测试过，可收敛至最低能量），scf:1.0e-6，k点：5x5x6，LDA（GGA试过，效果不明显），空带数：12， ...

请教:您计算band时,有没有改变原始CdGeAs2的空间群?
        band里面的k-point path怎么设置可以得到好的图象,比如from to 的坐标数值等等 ???



lz的问题个个经典啊,
1 isosurface图:出现的面上的电子云密度相同的.可以自己设置不同的密度值来显示吧.当然被设置值越低,越远离分子表面了.
2  slice图  数值应该是相对的,应该随外观可以改变
3  dos看带隙应该没有band 好的,有smearing的影响
4 没涉及过.
个人见解,仅供参考!!!
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俺们都是化学人！
9楼2008-04-17 12:26:15
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